西北工业大学李桂芳获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种基于肖特基异质结的高灵敏离子传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120044090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510102973.4，技术领域涉及：G01N27/30；该发明授权一种基于肖特基异质结的高灵敏离子传感器及制备方法是由李桂芳;惠晨博;杨永逸;谭玥;李卓伦;杜永乾设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于肖特基异质结的高灵敏离子传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于肖特基异质结的高灵敏离子传感器及制备方法，主要解决现有传感器结构复杂层数多、检查灵敏度较差、制备过程困难的问题。本发明的方案包括铂硅肖特基异质结、功能化敏感层、双端子工作电极。通过磁控溅射在硅衬底上沉积铂膜，形成铂硅肖特基异质结；功能化敏感层包含的离子探针，能够选择性结合重金属离子；通过铂硅肖特基异质结两端的工作电极，读出传感器芯片的电流信号。本发明的传感器具有结构简单，制造工艺方便，能够特异性、快速识别重金属离子的特点，避免参考电极的使用对传感性能影响的问题。
本发明授权一种基于肖特基异质结的高灵敏离子传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于肖特基异质结的高灵敏离子传感器在液体重金属粒子监测中的应用，其特征在于：所述高灵敏离子传感器包括铂硅肖特基异质结、功能化敏感层和双端子工作电极；所述双端子工作电极包括双端子工作电极正极和双端子工作电极负极；所述铂硅肖特基异质结包括硅Si衬底和Pt膜，Si衬底和Pt膜由下到上依次结合；所述的功能化敏感层经过有机大分子功能化修饰，有机大分子作为离子探针；所述功能化敏感层为经磁控溅射结合在铂硅肖特基异质结的Pt膜上；所述双端子工作电极正极和双端子工作电极负极分别与铂硅肖特基异质结Pt膜结合，用于电压信号的输入与电流信号的输出；双端子工作电极正极的输入为直流偏置信号和交流激励信号，传感器电流信号从双端子工作电极负极输出；所述双端子工作电极负极与电流电压转换电路连接。
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