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龙图腾网获悉珠海格力电器股份有限公司申请的专利一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411906649.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片是由谢梓翔;廖勇波;马颖江;宋德超设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括沿第一方向交替排列的第一截面区、第二截面区和第三截面区；第一截面区、第二截面区和第三截面区均包括：N型衬底、外延层、第一沟槽、氧化层、第一N区、P阱区、N+区、第二沟槽、栅极和源极；外延层设于N型衬底的一侧；第一N区位于第一沟槽两侧的下方；N+区位于第一沟槽两侧；P阱区连接于N+区的下方；第二沟槽位于第一沟槽的底部；通过第一截面区的位于第二沟槽底部及拐角的P区起到的电场屏蔽作用，以及第三截面区的位于第一沟槽底部的P区起到的电场屏蔽作用，从而避免沟槽拐角处产生较强电场导致的器件损坏，提高了器件的可靠性。

本发明授权一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述器件包括沿第一方向交替排列的第一截面区、第二截面区和第三截面区； 所述第一截面区、所述第二截面区和所述第三截面区均包括：N型衬底、外延层、第一沟槽、氧化层、第一N区、P阱区、N+区、第二沟槽、栅极和源极； 所述外延层设于所述N型衬底的一侧；所述第一N区位于所述第一沟槽两侧的下方； 所述N+区位于所述第一沟槽两侧； 所述P阱区连接于所述N+区的下方；所述P阱区和所述N+区，分别与所述第一沟槽的侧壁连接； 所述第二沟槽位于所述第一沟槽的底部； 所述栅极嵌于所述第一沟槽中；所述源极嵌于所述第二沟槽中；所述栅极位于所述源极两侧； 所述氧化层设置于所述第一沟槽和所述第二沟槽中，包裹所述栅极和所述源极； 所述第一截面区还包括：位于所述第一沟槽的下方的P区，所述P区与所述第一N区位于同一层；所述第二沟槽延伸至所述P区内部； 所述第三截面区还包括：位于所述第一沟槽的下方的P区，所述P区与所述第一沟槽的底部连接；所述第二沟槽贯穿所述P区。

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