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龙图腾网获悉国网上海市电力公司;华东电力试验研究院有限公司申请的专利一种基于原位替代的超导电抗器交流损耗仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119903692B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411731969.6，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于原位替代的超导电抗器交流损耗仿真方法是由徐晴川;焦婷;李红雷;苏磊;叶昊晟;田昊洋;黄华;严军;关宏设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于原位替代的超导电抗器交流损耗仿真方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于原位替代的超导电抗器交流损耗仿真方法，包括：针对电抗器结构，采用有限元法，将除待分析的超导线圈绕组之外的其余超导线圈原位替代为规则几何结构；构建电抗器结构的单个线圈三维简化模型与精细模型，通过所述单个线圈三维简化模型求解电感、磁场分布参数，通过所述精细模型并结合获得的电感、磁场分布参数，设定边界条件，通过麦克斯韦方程组求解得到超导带材内电场和电流密度；计算交流损耗功率，计算超导电抗器线圈绕组交流损耗。与现有技术相比，本发明可提高超导电抗器交流损耗计算的效率与精度，为其设计优化与性能评估提供关键依据，有力推动超导技术在电力系统中的应用。

本发明授权一种基于原位替代的超导电抗器交流损耗仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种基于原位替代的超导电抗器交流损耗仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：利用多物理场有限元仿真软件，针对电抗器结构，采用有限元法，将除待分析的超导线圈绕组之外的其余超导线圈原位替代为规则几何结构； S2：基于S1中的简化结果，构建电抗器结构的单个线圈三维简化模型与精细模型，通过所述单个线圈三维简化模型求解电感、磁场分布参数，通过所述精细模型并结合获得的电感、磁场分布参数，设定边界条件，通过麦克斯韦方程组求解得到超导带材内电场和电流密度； S3：对S2中得到的超导带材内电场和电流密度乘积积分得交流损耗功率，处理零初始条件下功率未达到稳态的问题，以计算超导电抗器线圈绕组交流损耗； S2中，具体包括以下步骤： S2-1：构建三维简化模型，其将线圈等效为环状导体且不细分匝数，以此求解线圈电感、磁场总体分布及相关参数； S2-2：构建三维精细模型，所述三维精细模型刻画每匝形状并添加空气域以等效有绝缘线圈，设定向电抗器单相线圈绕组通入交流电流激励； S2-3：结合S1中简化模型计算所得的磁场设定边界条件，依据麦克斯韦方程组进行瞬态场仿真求解电场和电流密度分布； S3中，具体包括以下步骤： S3-1：在仿真软件中启用体积分功能，针对S2中所获取到的超导带材内的电场和电流密度数据，按照预先设定好的积分区域进行乘积积分运算，从而得到超导带材在一个周期内的交流损耗功率的初步计算结果； S3-2：分析此计算结果在零初始条件下呈现出的不稳定特性； S3-3：计算单个线圈绕组在稳定状态下的交流损耗近似值； S3-4：依据超导电抗器的单相中线圈绕组的数量以及其三相结构的特点，计算出超导电抗器线圈绕组的总交流损耗，为超导电抗器的性能评估和优化设计提供关键的量化指标依据。

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