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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置及安装基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119895574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380065910.5，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权半导体装置及安装基板是由坂本光章;浜崎正生;网师本亮一;吉田弘;油井隆设计研发完成，并于2023-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及安装基板在说明书摘要公布了：能够面朝上安装的芯片尺寸封装型的半导体装置1具备：半导体层40；垂直型MOS晶体管10，形成在半导体层40内；保护膜35；第一布线电极12，与垂直型MOS晶体管10的源极电极13连接；以及第二布线电极52，与垂直型MOS晶体管10的栅极电极19连接，在半导体层40的平面图中的第一布线电极12的外周部分，形成由源极电极13、保护膜35以及第一布线电极12的依次层叠而成的、向半导体装置1的上方突出的第一外周构造101，在半导体层40的平面图中的第二布线电极52的外周部分，形成由栅极电极19、保护膜35以及第二布线电极52的依次层叠而成的、向半导体装置1的上方突出的第二外周构造102。

本发明授权半导体装置及安装基板在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置， 是芯片尺寸封装型的半导体装置，具备： 半导体层； 垂直型MOS晶体管，形成于所述半导体层内，所述垂直型MOS晶体管即垂直型金属氧化物半导体晶体管； 保护膜，是覆盖所述垂直型MOS晶体管的上表面的保护膜，具有使所述垂直型MOS晶体管的源极电极向所述保护膜的外部露出的第一开口部、和使所述垂直型MOS晶体管的栅极电极向所述保护膜的外部露出的第二开口部； 第一布线电极，与所述源极电极连接，以铜为主要成分，无间隙地覆盖所述第一开口部中的所述源极电极的向所述保护膜的外部的露出部分；以及 第二布线电极，与所述栅极电极连接，以铜为主要成分，无间隙地覆盖所述第二开口部中的所述栅极电极的向所述保护膜的外部的露出部分， 在所述半导体层的平面图中，所述半导体装置为矩形， 所述第一开口部的外周的全长被所述保护膜封闭， 所述第二开口部的外周的全长被所述保护膜封闭， 在所述第一布线电极的、所述半导体层的平面图中的外周部分，形成所述源极电极、所述保护膜以及所述第一布线电极依次层叠而成的第一外周构造， 所述第一外周构造的最上层是所述第一布线电极， 在所述第二布线电极的、所述半导体层的平面图中的外周部分，形成所述栅极电极、所述保护膜和所述第二布线电极依次层叠而成的第二外周构造， 所述第二外周构造的最上层是所述第二布线电极， 作为所述第一布线电极的上表面的第一布线电极露出部向所述半导体装置的外部露出， 作为所述第二布线电极的上表面的第二布线电极露出部向所述半导体装置的外部露出， 所述第一外周构造比所述第一布线电极露出部中的不包含于所述第一外周构造的部分的上表面向上方突出， 所述第二外周构造比所述第二布线电极露出部中的不包含于所述第二外周构造的部分的上表面向上方突出， 所述半导体装置的最上方位置存在于所述第一外周构造或及所述第二外周构造， 在所述半导体层的平面图中，所述第一布线电极露出部的面积比所述第一开口部的面积大， 在所述半导体层的平面图中，所述第二布线电极露出部的面积比所述第二开口部的面积大， 所述半导体装置还具备与所述半导体层的下表面接触而形成的金属层， 所述金属层的厚度比所述第一布线电极的最大厚度厚， 在所述半导体层的平面图中的外周部分，所述第一布线电极具有在所述半导体层的剖视图中朝向所述第一布线电极的外侧成为倒锥形状的壁面， 所述壁面不与所述保护膜接触。

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