重庆大学郭冰获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种N型掺杂的PEDOT薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119859292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311361625.6，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种N型掺杂的PEDOT薄膜及其制备方法是由郭冰;孙宽;周永利;韩虎辰;陈瑞设计研发完成，并于2023-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N型掺杂的PEDOT薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种N型掺杂的PEDOT导电薄膜及其制备方法。所述N型掺杂的PEDOT导电薄膜通过物料连续液相聚合的方法得到，具体来说，先加工氧化层薄膜，再将制备好的氧化层薄膜放到EDOT单体反应液中进行聚合反应，制备得到N型掺杂的PEDOT导电薄膜。
本发明授权一种N型掺杂的PEDOT薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型掺杂的PEDOT导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂的PEDOT导电薄膜通过物料连续液相聚合的方法得到，具体步骤如下： 步骤1：在干净的基底片上制备粘结层：制备所述粘结层的材料包括3-氨基丙基三乙氧基硅烷和聚氨酯； 步骤2：制备氧化层：将氧化剂搅拌溶解于去离子水后制备于步骤1制得的粘结层上，得到氧化层，所述氧化剂为水合五氧化二钒； 步骤3：配制EDOT单体反应前驱液：将有机溶剂、含有氢离子的酸溶液、EDOT单体依次加入并混合均匀制成EDOT单体反应前驱液，所述EDOT单体反应前驱液中各成分体积比为有机溶剂：酸溶液：EDOT=100-900：1-20：100-900； 步骤4：配制EDOT单体反应液：往步骤3制备得到的EDOT单体反应前驱液中进一步加入二甲基亚砜，所述EDOT单体反应前驱液与所述二甲基亚砜的体积比为1：0.05~1； 步骤5：将步骤2制备好的氧化层放入步骤4制备好的EDOT单体反应液中进行聚合反应； 步骤6：将步骤5完成聚合反应后的基底片依次放入稀盐酸和甲醇中浸泡除杂，得到所述N型掺杂的PEDOT导电薄膜。
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