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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种适用于SAR ADC的电容失配前台校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411776077.8，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种适用于SAR ADC的电容失配前台校准方法是由常舒婷;邱雷;杜自毫设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于SAR ADC的电容失配前台校准方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于SARADC的电容失配前台校准方法，其中，电容失配前台校准方法包括：S1、模拟输入信号、随机抖动信号与动态元件匹配共同输入电容型数模转换器；S2、通过比较器将电容型数模转换器的输出与参考点位作比较，存储得到输出数字码；S3、计算相应输出数字码的评估值；S4、求得实际输出值与参考输出值估计值的误差；S5、利用LMS算法根据误差大小，对电容权重和随机信号进行迭代；S6、不断更改电容权重与随机信号，使误差在允许范围内，得到更准确的输出。本发明无需增加额外模拟电路进行电容失配校准，明显提升ADC有效位数和无杂散动态范围等参数。

本发明授权一种适用于SAR ADC的电容失配前台校准方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于SARADC的电容失配前台校准方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、模拟输入信号、随机抖动信号与动态元件匹配共同输入电容型数模转换器CDAC，具体为，令模拟输入信号为零，与随机抖动信号和动态元件匹配同时作用于CDAC的电容阵列，记为随机信号rn，其中，电容阵列包括第一电容阵列和第二电容阵列，第一电容阵列为高M位量化电容MSB，第二电容阵列为低N-M位量化电容LSB，其中，M为不大于N的正整数； S2、通过比较器将CDAC的输出与参考点位作比较，存储得到输出数字码； S3、计算相应输出数字码的评估值，计算公式为： 其中，为实际输出，Win为第i位电容权重，Din为第i位输出数字码； S4、计算实际输出值与参考输出值估计值的误差，计算公式为： 其中，Errorn为误差，为理论输出值的估计值，VOUT为输出值； S5、利用LMS算法根据误差大小，对电容权重和随机信号进行迭代，电容权重和随机信号的迭代公式分别为： rn+1＝rn-μrErrorn； 式中，μW和μr分别为LMS算法中的权重收敛因子和随机信号收敛因子； S6、不断更改电容权重与随机信号，使误差在允许范围内，得到更准确的输出。

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