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龙图腾网获悉广东华中科技大学工业技术研究院;华中科技大学申请的专利一种宽光谱响应型BiVO4基光催化电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119715714B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411827207.6，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种宽光谱响应型BiVO4基光催化电极及其制备方法和应用是由闫凯;张敬东;刘旭桥设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽光谱响应型BiVO4基光催化电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽光谱响应型BiVO44基光催化电极及其制备方法和应用，属于光催化电极技术领域，包括导电基底和负载于所述导电基底表面的光催化剂，光催化剂由BiVO44、窄带隙半导体材料和助催化剂组成；具体制备步骤为S1、在导电基底表面制备BiVO44，得到BiVO44电极；S2、将BiVO44电极浸入Co盐溶液中，施加电位使Co离子吸附在BiVO44电极表面；S3、将吸附了Co离子的BiVO44电极浸入Na22S溶液中，冲洗并烘干后得到宽光谱响应型光催化电极。本发明通过离子交换的方法在BiVO44表面原位制备窄带隙半导体材料Bi22S33和助催化剂CoSxx，可有效拓宽BiVO44基光催化材料对光的吸收范围，提升可见及近红外光激发下BiVO44基光催化电极的光电响应信号。

本发明授权一种宽光谱响应型BiVO4基光催化电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种宽光谱响应型BiVO4基光催化电极，其特征在于： 包括导电基底和负载于所述导电基底表面的光催化剂，所述光催化剂由BiVO4、窄带隙半导体材料和助催化剂组成；所述窄带隙半导体材料为Bi2S3；所述助催化剂为CoSx； 上述宽光谱响应型BiVO4基光催化电极的制备方法，在BiVO4表面通过离子交换原位制备窄带隙半导体Bi2S3和助催化剂CoSx；步骤如下： S1、在导电基底表面制备BiVO4，得到BiVO4电极；具体步骤为： S11、在导电基底上电沉积BiOI薄膜；具体步骤为： 1将铋盐溶液加入含有KI的溶液中，调整pH并加入对苯醌的乙醇溶液，搅拌混匀后得到电解液； 2对导电基底进行超声清洗；然后将超声后的导电基底作为工作电极，以饱和甘汞电极为参比电极，铂片为对电极，采用三电极体系电沉积BiOI薄膜； S12、以乙酰丙酮氧钒为钒源，在高温下将BiOI转化为BiVO4； S2、将BiVO4电极浸入Co盐溶液中，施加电位使Co离子吸附在BiVO4电极表面； S3、将吸附了Co离子的BiVO4电极浸入Na2S溶液中，冲洗并烘干后得到宽光谱响应型光催化电极； 将宽光谱响应型BiVO4基光催化电极应用于近红外光诱导的自供能光电化学传感器上； 将所制备光催化电极作为光阳极，将普鲁士蓝修饰电极作为阴极插入装有K2SO4溶液的石英反应池，并通过外部电路连通，组装成单室的光催化电池；以近红外光源照射光阳极，光阳极被激发产生有效的电子空穴对分离与阴极形成电流通路，从而产生电能。

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