浙江创芯集成电路有限公司徐世斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利光学邻近修正方法及其修正装置、可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119668018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411784921.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法及其修正装置、可读存储介质是由徐世斌;高大为;吴永玉;任堃;鲁苗苗;颜哲钜;姚淼红;张馨元;李翰轩设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及其修正装置、可读存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法及其修正装置、可读存储介质，所述光学邻近修正方法及包括：形成具有第一半导体结构的重复区域的先制产品；获得所述重复区域的第一半导体结构中图形的轮廓；获得第一区域适宜于形成第二半导体结构的待修正版图，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构为相同的半导体结构；根据所述重复区域的第一半导体结构中图形的轮廓，对所述待修正版图进行光学邻近修正，获得修正版图。先制产品中第一半导体结构中图形的轮廓是从在先形成的先制产品中直接获得，是实际光刻后图形的轮廓，能够有效减少错误报警的出现，能够有效提高光学邻近修正的精度。
本发明授权光学邻近修正方法及其修正装置、可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 形成先制产品，所述先制产品包括：具有第一半导体结构的重复区域； 获得所述重复区域的第一半导体结构中图形的轮廓； 获得待修正版图，所述待修正版图包括第一区域，所述第一区域的待修正版图适宜于形成第二半导体结构，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构为相同的半导体结构； 根据所述重复区域的第一半导体结构中图形的轮廓，对所述待修正版图进行光学邻近修正，获得修正版图。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励