同方威视技术股份有限公司;清华大学刘耀红获国家专利权
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龙图腾网获悉同方威视技术股份有限公司;清华大学申请的专利用于超高剂量率辐射装置的校准设备、校准方法及超高剂量率辐射装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119633273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510072407.3，技术领域涉及：A61N5/10；该发明授权用于超高剂量率辐射装置的校准设备、校准方法及超高剂量率辐射装置是由刘耀红;陈怀璧;查皓;张亮;李维科;何宇;郜怀朋;张福生设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于超高剂量率辐射装置的校准设备、校准方法及超高剂量率辐射装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种用于超高剂量率辐射装置的校准设备，所述超高剂量率辐射装置包括用于发出多束辐射束流的多个束流模块，所述校准设备包括：校准靶组件，包括靶部，其中，所述靶部在校准过程中位于所述超高剂量率辐射装置的预定辐射区域；其中，所述靶部用于作为基准来校准所述多束辐射束流交汇于所述预定辐射区域的交汇偏差。还提供了一种校准方法和超高剂量率辐射装置。
本发明授权用于超高剂量率辐射装置的校准设备、校准方法及超高剂量率辐射装置在权利要求书中公布了：1.一种用于超高剂量率辐射装置的校准设备，所述超高剂量率辐射装置包括用于发出多束辐射束流的多个束流模块，所述校准设备包括： 校准靶组件，包括靶部，其中，所述靶部在校准过程中位于所述超高剂量率辐射装置的预定辐射区域；其中，所述靶部用于作为基准来校准所述多束辐射束流交汇于所述预定辐射区域的交汇偏差； 多个激光组件，一一对应地安装于所述多个束流模块各自的束流发射位置；其中，所述多个激光组件用于发射多束激光至所述靶部，以模拟所述多束辐射束流交汇于所述预定辐射区域的交汇位置； 所述多个束流模块安装于所述超高剂量率辐射装置的回转滚筒，所述靶部在校准过程中位于所述超高剂量率辐射装置的预定辐射区域包括：在校准过程中，所述靶部的中心位于所述回转滚筒的回转轴线； 所述靶部包括： 球体，其中，在校准过程中所述球体的球心位于所述回转滚筒的回转轴线，所述球体绘制有相互交织的经线和纬线，其中，所述经线和纬线用于表征所述多束激光中任两束激光之间的交汇偏差。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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