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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利进气系统，半导体器件的工艺设备和工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119506840B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411853618.2，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权进气系统，半导体器件的工艺设备和工艺方法是由贾兰;李培培;李疆琨;杨辰烨设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本进气系统，半导体器件的工艺设备和工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种进气系统，半导体器件的工艺设备和工艺方法。进气系统包括：第一混气部，向反应腔下方的晶圆中心通入沉积气体或保护气体；第二混气部，围绕第一混气部，向晶圆边缘周向通入保护气体或刻蚀气体；以及控制器，被配置为：控制第一混气部通入沉积气体，第二混气部通入保护气体，以使保护气体周向围绕沉积气体共同通入，用于限制沉积气体在晶圆的中心沉积薄膜；以及响应于完成沉积薄膜，保持晶圆位置不变，控制第一混气部通入保护气体，第二混气部通入刻蚀气体，以使刻蚀气体周向围绕保护气体共同通入，用于限制刻蚀气体在原位的晶圆的边缘刻蚀薄膜。本发明能够避免刻蚀时转移晶圆过程中，晶圆边缘掩膜脱落所带来的公共路径污染问题。

本发明授权进气系统，半导体器件的工艺设备和工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种进气系统，其特征在于，包括： 第一混气部，位于反应腔上方的中心位置，用于向所述反应腔下方的晶圆中心通入沉积气体或保护气体； 第二混气部，围绕所述第一混气部，用于向所述晶圆边缘周向通入保护气体或刻蚀气体； 匀气挡板，包括第一挡板区和第二挡板区，其中，所述第一挡板区位于所述第一混气部的下方，所述第二挡板区位于所述第二混气部的下方，且与所述第一挡板区存在预设距离的间隔，其中，所述预设距离与所述晶圆的边缘刻蚀范围正相关；以及 控制器，被配置为：控制所述第一混气部通入所述沉积气体，所述第二混气部通入所述保护气体，以使所述保护气体周向围绕所述沉积气体共同通入，用于限制所述沉积气体在所述晶圆的中心沉积薄膜；以及响应于完成所述沉积薄膜，保持所述晶圆位置不变，控制所述第一混气部通入所述保护气体，所述第二混气部通入所述刻蚀气体，以使所述刻蚀气体周向围绕所述保护气体共同通入，用于限制所述刻蚀气体在原位的所述晶圆的边缘刻蚀薄膜。

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