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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495636B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311044425.8，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李彭涛;张亦舒;王字健;荆胜鹏;王振设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、形成在所述衬底上的有源器件，其中，所述有源器件包括互连区；在所述有源器件上形成第一介质层和位于所述第一介质层上的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一开口，所述第一开口在基底的投影与所述有源器件的互连区至少部分重合；在所述第一掩膜层上形成第二介质层，其中，所述第二介质层通过所述第一开口与所述第一介质层相接；去除部分区域的所述第二介质层和与所述第二介质层相接的第一介质层，形成暴露所述有源器件的互连区的互连沟槽；在所述互连沟槽内形成金属互连结构。该方案能够简化金属互连结构的形成流程，降低形成金属互连结构的工艺成本。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、形成在所述衬底上的有源器件，其中，所述有源器件包括互连区； 在所述有源器件上形成第一介质层和位于所述第一介质层上的第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一开口，所述第一开口在基底的投影与所述有源器件的互连区至少部分重合； 在所述第一掩膜层上形成第二介质层，其中，所述第二介质层通过所述第一开口与所述第一介质层相接； 同时去除部分区域的所述第二介质层和与所述第二介质层相接的第一介质层，形成暴露所述有源器件的互连区的互连沟槽； 在所述互连沟槽内形成金属互连结构； 其中，所述同时去除部分区域的所述第二介质层和与所述第二介质层相接所述第一介质层，形成暴露所述有源器件的互连区的互连沟槽，包括： 在所述第二介质层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有暴露所述第二介质层的部分区域的第二开口，所述第二开口在基底的投影至少覆盖与所述第一开口在基底的投影； 以所述第二掩膜层为掩膜，同时刻蚀所述第二开口暴露的第二介质层和与所述二介质层相接的第一介质层，形成暴露所述有源器件的互连区的互连沟槽； 其中，所述同时刻蚀所述第二开口暴露的第二介质层和与所述第二介质层相接的第一介质层，具体为，采用脉冲等离子刻蚀方式，同时刻蚀所述第二开口暴露的第二介质层和与所述二介质层相接的第一介质层。

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