武汉纺织大学王雯雯获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉纺织大学申请的专利低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119391399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411303840.5，技术领域涉及：C09K9/00；该发明授权低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜及其制备方法与应用是由王雯雯;詹慧慧;刘飞霞;王栋设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜及其制备方法与应用，通过溶胶‑凝胶法、KH570改性、提拉法制备二氧化硅非晶光子晶体薄膜；将PDMS溶液均匀涂覆在薄膜两面制备得到低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜。本发明纳米二氧化硅光子晶体，由于其粒径均一，在乙醇中分散性好，因此能够采用提拉法制备出周期性规则排列的非晶光子晶体薄膜，在室内漫散射光下，在不同角度观察具有低角度的依赖性；通过改性，在二氧化硅纳米颗粒表面接枝碳碳双键，使其与PDMS表面的羟基和巯基反应，引入化学键，使无机二氧化硅纳米颗粒和PDMS界面作用增强，从而提高了材料的力学性能和抗疲劳性能。
本发明授权低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.用溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅，采用硅烷偶联剂KH570进行改性，得到改性纳米二氧化硅； S2.配置预定质量浓度的改性纳米二氧化硅溶液，在恒定温度下，采用提拉法制备二氧化硅非晶光子晶体薄膜；所述恒定温度为28~32℃； 所述改性纳米二氧化硅溶液的浓度为3~7wt%，所述二氧化硅非晶光子晶体薄膜的厚度为1.0~1.2mm； 所述提拉法的提拉次数为15~25次，提拉速度为0.8~1.5mms，提拉过程中停留时间为55~65s； S3.将聚二甲基硅氧烷预聚物和固化剂混合均匀进行脱泡，得到PDMS溶液，将其均匀涂覆在步骤S2制备的所述二氧化硅非晶光子晶体薄膜的两面，经热固化、脱模处理，得到低角度依赖性和抗疲劳性能的力致变色薄膜。
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