上海积塔半导体有限公司谷东光获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利离子注入结构的位置确定方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411386852.9，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权离子注入结构的位置确定方法、装置、设备及介质是由谷东光;沙业雨;陈蔚设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子注入结构的位置确定方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开涉及一种离子注入结构的位置确定方法、装置、设备及介质，其中，通过以下步骤确定每个离子注入结构的位置：获取该离子注入结构两侧的第一距离值、第二距离值和存储器的当前电性数据；根据存储器的当前电性数据和目标电性数据之间的差值，确定该离子注入结构的位置偏移方向；根据该离子注入结构的位置偏移方向，调整该离子注入结构的形成位置，以使存储器的电性数据达到目标电性数据。至少能够在缩小随机静态存储器SRAM存储器的结构尺寸后，准确确定离子注入结构的正确位置，保证随机静态存储器SRAM存储器性能。
本发明授权离子注入结构的位置确定方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种离子注入结构的位置确定方法，其特征在于，所述离子注入结构形成于存储器中，所述存储器包括多个离子注入结构、多个多晶硅层和多个金属连线层，其中，所述多晶硅层位于所述离子注入结构的上方，所述金属连线层位于所述多晶硅层的上方； 其中，通过以下步骤确定每个离子注入结构的位置： 获取该离子注入结构两侧的第一距离值、第二距离值和所述存储器的当前电性数据； 根据所述存储器的当前电性数据和目标电性数据之间的差值，确定该离子注入结构的位置偏移方向； 根据该离子注入结构的位置偏移方向，调整该离子注入结构的形成位置，以使所述存储器的电性数据达到目标电性数据。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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