中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))王宏跃获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利金刚石半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411232910.2，技术领域涉及：H10D64/20；该发明授权金刚石半导体器件及其制作方法是由王宏跃;柳月波;何亮;刘红辉;陈媛设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本金刚石半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种金刚石半导体器件及其制作方法。金刚石半导体器件包括：器件主体；金电极，金电极设置在器件主体的表面；介质层，介质层设置在器件主体的表面，介质层围绕金电极；黏附金属层，黏附金属层分别连接金电极和介质层，黏附金属层用于引出电极。通过在器件主体的表面设置围绕金电极的介质层，并设置黏附金属层分别连接金电极和介质层，通过黏附金属层和金电极来引出电极，由于介质层与器件主体之间的黏附性较强，且黏附金属层与介质层之间的黏附性较强，因此，黏附金属层可以起到对金电极进行加固的作用，减少在后续进行外部封装互连时，出现金电极脱落的情况。
本发明授权金刚石半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石半导体器件，其特征在于，包括： 器件主体； 金电极，所述金电极设置在所述器件主体的表面； 介质层，所述介质层设置在所述器件主体的表面，所述介质层围绕所述金电极；所述介质层的厚度大于所述金电极的厚度，所述介质层覆盖所述金电极的顶表面的一部分； 黏附金属层，所述黏附金属层分别连接所述金电极和所述介质层，所述黏附金属层用于引出电极；所述黏附金属层的材料为钛、镍中的至少一种； 加固金属层，所述加固金属层设置在所述黏附金属层上，所述加固金属层用于引出电极；所述加固金属层的材料为铝、金中的至少一种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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