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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利集成型功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411179923.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权集成型功率器件及其制造方法是由李佳驹;曾大杰设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成型功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成型功率器件，包括集成在一起的主MOSFET、电流传感器、温度传感器和电压传感器。主MOSFET的单元结构和电流传感器的单元结构都采用相同的MOSFET单元结构。MOSFET单元结构包括：漂移区，体区，第一栅极结构，源区，漏区；第一栅极结构采用沟槽型分离栅。温度传感器包括：漂移区、体区和第二栅极结构；体区的顶部和第二栅极结构的第二源导电材料层连接到由正面金属层组成的第一电极，所述第一电极和所述漏极组成所述温度传感器的两个测量电极。电压传感器包括：漂移区、第一导电类型重掺杂的第一接触区和第三栅极结构；第一接触区的顶部和第三栅极结构的第三源导电材料层的顶部都连接第二电极。本发明还提供一种集成型功率器件的制造方法。

本发明授权集成型功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成型功率器件，其特征在于：包括集成在一起的主MOSFET、电流传感器、温度传感器和电压传感器； 主MOSFET的单元结构和电流传感器的单元结构都采用相同的MOSFET单元结构； 所述MOSFET单元结构包括：第一导电类型掺杂的漂移区，形成于所述漂移区表面区域中的第二导电类型的体区，第一栅极结构，形成于所述体区表面区域中的第一导电类型重掺杂的源区，形成于所述漂移区背面的第一导电类型重掺杂的漏区；所述第一栅极结构采用沟槽型分离栅，包括形成于第一栅极沟槽中的源导电材料层和栅导电材料层，所述源导电材料层和所述第一栅极沟槽之间隔离有第一介质层，所述源导电材料层和所述栅导电材料层之间隔离有第二介质层，所述栅导电材料层和所述第一栅极沟槽的侧面之间隔离有栅介质层，所述栅导电材料层穿过所述体区；所述源区和所述源导电材料层都通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的源极，所述栅导电材料层通过顶部对应的所述接触孔连接到由所述正面金属层组成的栅极，所述漏区的背面形成有由背面金属层组成的漏极； 所述温度传感器包括：所述漂移区、所述体区和第二栅极结构；所述第二栅极结构包括形成于第二栅极沟槽内侧表面的第三介质层和填充于所述第二栅极沟槽中的第二源导电材料层；所述体区表面未形成第一导电类型掺杂区，所述体区的顶部和所述第二源导电材料层的顶部都通过对应的所述接触孔连接到由所述正面金属层组成的第一电极，所述第一电极和所述漏极组成所述温度传感器的两个测量电极； 所述电压传感器包括：所述漂移区、形成于所述漂移区表面区域中的第一导电类型重掺杂的第一接触区和第三栅极结构；所述第三栅极结构包括形成于第三栅极沟槽内侧表面的第四介质层和填充于所述第三栅极沟槽中的第三源导电材料层；所述漂移区表面未形成所述体区，所述第一接触区的顶部和所述第三源导电材料层的顶部都通过对应的所述接触孔连接到由所述正面金属层组成的第二电极，所述第二电极和所述漏极组成所述电压传感器的两个测量电极。

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