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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利陶瓷三维封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411208835.6，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权陶瓷三维封装结构及制备方法是由张理想;张帅;许春良;厉志强;赵永志;冀乃一;赵元浩;田昕伟设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本陶瓷三维封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种陶瓷三维封装结构，信号能够从多层陶瓷基板的一侧传输到多层陶瓷基板的另一侧，第一基板分设于多层陶瓷基板的两侧，各第一基板上设有垂直互联通孔，墙体设于多层陶瓷基板和第一基板之间，芯片设于密封腔体内，芯片与多层陶瓷基板或第一基板连接；垂直互连柱设于多层陶瓷基板和第一基板之间，垂直互连柱与垂直互联通孔连接，各密封腔体内均设有垂直互连柱。本发明通过在多层陶瓷基板和第一基板之间设置垂直互联柱与垂直互联通孔导通，使得信号能够从多层陶瓷基板的一侧传输到多层陶瓷基板的另一侧，并从第一基板的连接点输送出去，实现信号的垂直互联，且信号能够从两个第一基板输送出去，实现信号的双面引出。

本发明授权陶瓷三维封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷三维封装结构，其特征在于，包括： 多层陶瓷基板2，信号能够从所述多层陶瓷基板2的一侧传输到所述多层陶瓷基板2的另一侧； 两块第一基板1，分设于所述多层陶瓷基板2的两侧，各所述第一基板1上设有垂直互联通孔102，信号能够通过所述垂直互联通孔102从所述第一基板1一侧传输到所述第一基板1的另一侧，所述第一基板1的背离所述多层陶瓷基板2的一侧设有表面再布线层104，与所述表面再布线层104连接设有连接点7，所述连接点7用于与外部的元器件连接； 墙体202，设于所述多层陶瓷基板2和所述第一基板1之间，所述墙体202将所述多层陶瓷基板2和所述第一基板1之间的空间分隔为多个密封腔体3，芯片6设于所述密封腔体3内，芯片6与所述多层陶瓷基板2或所述第一基板1连接； 多个垂直互连柱，设于所述多层陶瓷基板2和所述第一基板1之间，垂直互连柱与垂直互连通孔102连接，各所述密封腔体3内均设有垂直互连柱，信号能够通过所述垂直互连柱从所述第一基板1传递给多层陶瓷基板2，且信号能够通过所述垂直互连柱从多层陶瓷基板2传递给所述第一基板1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所，其通讯地址为：050051 河北省石家庄市合作路113号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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