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龙图腾网获悉合肥领航微系统集成有限公司申请的专利一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411132031.2，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺是由詹同舟;石彦立;罗正松设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺，开槽结构开设在具有相对的正面及背面的晶圆上，所述开槽结构包括，沿划片边界：在晶圆一面开设槽A11和槽A22，槽A11和槽A22之间形成凸起块；在晶圆另一面与凸起块对应处开设槽B；其中，凸起块宽度与槽B宽度不同。本发明通过刻蚀在晶圆上形成不连通的槽，代替原本隐切形成的划片道，可以使晶圆划片节约成本，提高扩片率；同时在一侧槽中残留部分晶圆，形成凸起块，增加相邻芯片连接的稳定性，防止晶圆在扩片前发生不规则断裂，提高良品率。

本发明授权一种用于晶圆划片的开槽结构、开槽方法及划片工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于晶圆划片的开槽方法，其特征在于，包括以下步骤： S11、在晶圆100的表面涂覆光刻胶； S12、对光刻胶进行光刻操作，将需要刻蚀的晶圆100部位裸露出来； S13、对晶圆100裸露出来的部位进行刻蚀，在晶圆100表面相邻芯片的交接处形成槽A1140和槽A2150，使槽A1140和槽A2150之间形成凸起块130，去除多余的光刻胶； S14、在晶圆100的另一表面涂覆光刻胶； S15、对光刻胶进行光刻操作，将需要刻蚀的晶圆100部位裸露出来； S16、对晶圆100裸露出来的部位进行刻蚀，在与凸起块130对应处形成槽B160，去除多余的光刻胶； 其中，凸起块130宽度大于槽B160宽度，增加相邻芯片边界处边缘的附着力； 所述开槽结构开设在具有相对的正面及背面的晶圆100上，所述开槽结构包括，沿划片边界： 在晶圆100一面开设槽A1140和槽A2150，槽A1140和槽A2150之间形成凸起块130； 在晶圆100另一面与凸起块130对应处开设槽B160； 其中，所述凸起块130宽度大于槽B160宽度，增加相邻芯片边界处边缘的附着力； 所述晶圆100正面开设槽A1140和槽A2150，晶圆100背面与凸起块130对应处开设槽B160；凸起块130宽度大于槽B160宽度； 所述晶圆100为SOI晶圆200，所述SOI晶圆200包括层叠设置的底硅230、埋氧层220和顶硅210； 所述槽A1140和或槽A2150贯穿顶硅210至埋氧层220，所述槽B160贯穿底硅230至埋氧层220； 所述槽B160贯穿顶硅210至埋氧层220，所述槽A1140和或槽A2150贯穿底硅230至埋氧层220； 所述晶圆100背面开设槽A1140和槽A2150，在晶圆100正面与凸起块130对应处开设槽B160； 槽A1140或槽A2150的深度与槽B160深度的和小于晶圆100厚度；使芯片一110和芯片二120的交接处在扩片前不易发生断裂。

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