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龙图腾网获悉北京高星华辰传感科技有限公司申请的专利一种MEMS压阻式差压传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119147143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411305288.3，技术领域涉及：G01L13/06；该发明授权一种MEMS压阻式差压传感器是由王飞翔;张琦;丰永设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS压阻式差压传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS压阻式差压传感器，包括硅衬底、第一玻璃、第二玻璃、第一鱼骨单元、第二鱼骨单元和压敏电阻；硅衬底具有锚固区和敏感区；所述第一玻璃固定于硅衬底第一侧的锚固区；第二玻璃固定于所述硅衬底第二侧的锚固区；四个第一鱼骨单元间隔设置于所述第一正八边形凹槽内的四个侧壁；四个第二鱼骨单元间隔设置于所述第二正八边形凹槽内的四个侧壁；第一鱼骨单元和第二鱼骨单元均包括多组依次连接的鱼骨子单元；每组鱼骨子单元均包括压敏区、连接区和支撑区。本发明的一个技术效果在于，提高了MEMS压阻式差压传感器的灵敏度和精度，而且兼顾了MEMS压阻式差压传感器在高灵敏度设计下的可靠性和大量程。

本发明授权一种MEMS压阻式差压传感器在权利要求书中公布了：1.一种MEMS压阻式差压传感器，其特征在于，包括： 硅衬底，所述硅衬底具有锚固区和敏感区，且所述锚固区环设于所述敏感区的外侧；所述硅衬底第一侧的敏感区设置有第一正八边形凹槽，所述硅衬底第二侧的敏感区设置有与所述第一正八边形凹槽相对应的第二正八边形凹槽； 第一玻璃和第二玻璃，所述第一玻璃固定于所述硅衬底第一侧的锚固区，并与所述硅衬底第一侧的敏感区构成第一腔体，且所述第一玻璃与所述第一正八边形凹槽的中心相对应的位置设置有第一通孔；所述第二玻璃固定于所述硅衬底第二侧的锚固区，并与所述硅衬底第二侧的敏感区构成第二腔体，且所述第二玻璃与所述第二正八边形凹槽的中心相对应的位置设置有第二通孔； 第一鱼骨单元和第二鱼骨单元，四个第一鱼骨单元间隔设置于所述第一正八边形凹槽内的四个侧壁；四个第二鱼骨单元间隔设置于所述第二正八边形凹槽内的四个侧壁；且所述第一鱼骨单元与所述第二鱼骨单元交错分布； 压敏电阻，第一鱼骨单元和第二鱼骨单元均包括多组依次连接的鱼骨子单元；每组鱼骨子单元均包括压敏区、连接区和支撑区，且所述连接区的一侧与所述压敏区连接，另一侧与所述支撑区连接；相邻的鱼骨子单元之间通过一个鱼骨子单元的支撑区与另一个鱼骨子单元的压敏区连接，且位于端部的鱼骨子单元通过压敏区与所述第一正八边形凹槽的侧壁或所述第二正八边形凹槽的侧壁连接；其中，所述压敏区均设置有压敏电阻。

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