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龙图腾网获悉武汉敏芯半导体股份有限公司申请的专利晶圆湿法腐蚀装置和刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411066505.8，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权晶圆湿法腐蚀装置和刻蚀方法是由蔡阳光;金灿;刘应军;王权兵;刘巍设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆湿法腐蚀装置和刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种晶圆湿法腐蚀装置和刻蚀方法，晶圆湿法腐蚀装置包括了桶体、驱动组件和承载组件，承载组件包括了多个立柱，每个立柱上形成有卡槽。基于此通过本申请实施例提供的晶圆湿法腐蚀装置，在使用过程中，可以先将晶圆通过卡槽卡接在多个立柱上，而后将承载组件连同晶圆放置在桶体内，通过驱动组件驱动桶体内的腐蚀液流动，腐蚀液即可对晶圆进行湿法腐蚀。本申请通过驱动组件带动腐蚀液流动的方式，替代传统人工转动晶圆的方式，一方面，腐蚀液流速可控能够提高湿法腐蚀效率；另一方面，能够保障湿法腐蚀的一致性和均匀性。

本发明授权晶圆湿法腐蚀装置和刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆湿法腐蚀装置，其特征在于，包括： 桶体，所述桶体内用于承载腐蚀液； 驱动组件，所述驱动组件用于驱动所述腐蚀液流动； 承载组件，所述承载组件用于设置在所述桶体内，承载组件包括多个立柱，每个所述立柱上形成有卡槽，晶圆通过所述卡槽和多个所述立柱定位在所述桶体内，所述承载组件还包括：第一固定座和第二固定座，所述第一固定座布置在顶部，所述第二固定座布置在底部，所述立柱的一端连接于所述第一固定座，另一端连接于所述第二固定座； 所述卡槽的顶面为斜面； 每个所述立柱沿高度方向上形成有多个所述卡槽； 在每个所述立柱上，沿所述立柱的顶部至所述立柱的底部的方向上所述卡槽分布的密度逐渐增加； 在经由所述桶体高点至低点的方向上，所述桶体的内径逐渐增加； 驱动组件包括： 磁力电机，所述磁力电机设置在所述桶体的隔层内； 磁力转子，所述磁力转子设置在所述桶体内，所述磁力电机用于驱动所述磁力转子转动； 定位柱，所述定位柱设置在第二固定座上，所述磁力转子上形成有通孔，所述定位柱穿过所述通孔。

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