晶科能源股份有限公司;晶科能源(海宁)有限公司陶武松获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;晶科能源(海宁)有限公司申请的专利光伏组件、制备光伏组件的层压工装及层压方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411053100.0，技术领域涉及：H10F19/80；该发明授权光伏组件、制备光伏组件的层压工装及层压方法是由陶武松;陈振东;赵金会;周云峰设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本光伏组件、制备光伏组件的层压工装及层压方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光伏组件、制备光伏组件的层压工装及层压方法，光伏组件包括依次层叠的第一盖板、第一封装层、电池片层、第二封装层和第二盖板，第一盖板位于光伏组件的太阳直射面，第一盖板和或第二盖板包括中心区和围绕中心区的边缘区，且靠近电池片层一侧的中心区向光伏组件的外表面凹陷形成容置腔，电池片层在太阳直射面的正投影位于中心区在太阳直射面的正投影之内；第一盖板和或第二盖板的边缘区包括多个通道，沿边缘区指向中心区的方向上，通道贯穿边缘区且与容置腔连通。
本发明授权光伏组件、制备光伏组件的层压工装及层压方法在权利要求书中公布了：1.一种光伏组件，其特征在于，包括依次层叠的第一盖板、第一封装层、电池片层、第二封装层和第二盖板，所述第一盖板位于所述光伏组件的太阳直射面，其中，所述第一盖板和或所述第二盖板包括中心区和围绕所述中心区的边缘区，且靠近所述电池片层一侧的所述中心区向所述光伏组件的外表面凹陷形成容置腔，所述电池片层在所述太阳直射面的正投影位于所述中心区在所述太阳直射面的正投影之内；所述第一盖板和或所述第二盖板的边缘区包括多个通道，沿所述边缘区指向所述中心区的方向上，所述通道贯穿所述边缘区且与所述容置腔连通； 所述通道的高度与所述容置腔的高度相等； 相邻所述通道之间具有间隔，由一个所述通道指向相邻所述通道的方向上，所述间隔的宽度为m，所述通道的宽度为n，m≥n。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶科能源股份有限公司;晶科能源(海宁)有限公司，其通讯地址为：334100 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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