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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种VCSEL芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118783233B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410821428.6，技术领域涉及：H01S5/02345；该发明授权一种VCSEL芯片的制备方法是由戴家赟;陈鑫;李征;王飞;朱健;陈堂胜设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VCSEL芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种VCSEL芯片的制备方法，其步骤有：在衬底A正面依次生长缓冲层、停止层、N接触层、N‑DBR、有源层、P‑DBR以及P接触层；在P接触层上方做P接触金属，将外延结构刻蚀至停止层，并对其表面进行氧化；将衬底A与支撑载片正面相对进行临时键合；衬底A从背面减薄；将衬底A除外延层以外的剩余衬底和缓冲层去除；将停止层去除，得到与支撑载片临时键合的VCSEL外延层结构，露出N接触层背面；在N接触层背面制备N电极；在另一衬底B正面制备键合金属层；将N电极与衬底B正面相对，并通过键合金属层进行永久键合；进行解键合，并清洗；得到具有高效散热效果的VCSEL芯片。本方法能够在有效改善VCSEL芯片散热效果的同时，具有更小的串联电阻。

本发明授权一种VCSEL芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种VCSEL芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在衬底A正面依次生长缓冲层、停止层、N接触层、N-DBR、有源层、P-DBR以及P接触层； 2在P接触层上方做P接触金属，然后将外延结构刻蚀至停止层，形成台面型VCSEL器件结构，并对其表面进行氧化； 3在衬底A表面旋涂临时粘附剂，覆盖住器件结构； 4将衬底A与支撑载片正面相对进行临时键合； 5将与支撑载片临时键合的衬底A从背面开始减薄； 6将与支撑载片临时键合的衬底A除外延层以外的剩余衬底和缓冲层去除，露出停止层背面； 7将停止层去除，得到与支撑载片临时键合的VCSEL外延层结构，并露出N接触层背面； 8在N接触层背面制备N电极； 9在另一高导热衬底B正面制备键合金属层； 10将与支撑载片临时键合的VCSEL外延层背面N电极与B衬底正面相对，并通过键合金属层进行永久键合； 11将支撑载片与衬底B和VCSEL外延层形成的永久键合结构进行解键合，并清洗； 12得到在高导热衬底B上形成的VCSEL芯片。

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