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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构的测试结构、方法以及晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118731620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310324596.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体结构的测试结构、方法以及晶圆是由周婷婷;何伟伟;彭首春;朱正鹏;江勤设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的测试结构、方法以及晶圆在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构的测试结构、方法以及晶圆，属于半导体技术领域。将待测试的各个晶体管的栅极都耦合到测试结构中的选通电路上，由测试结构中的选址电路根据多个第一测试管脚上的第一电信号，控制选通电路将第三电信号或第二测试管脚上的第二电信号施加到待测试的各个晶体管，以通过第二电信号对某个晶体管进行测试，从而使得待测试的各个晶体管的栅极共享同一个第二测试管脚，减少了待测试晶体管的栅极所占用的测试管脚的数量，增加了测试结构中测试管脚的使用率，使得测试结构能够支持更多的晶体管测试。

本发明授权半导体结构的测试结构、方法以及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多个第一测试管脚1、第二测试管脚2、选址电路3以及选通电路4； 所述多个第一测试管脚1耦合到所述选址电路3，所述多个第一测试管脚1用于接入第一电信号，所述第一电信号处于两种电位状态中的一种电位状态，所述多个第一测试管脚1接入的第一电信号的电位状态组合形成测试信号，所述测试信号用于从待测试的多个晶体管5中选择第一晶体管进行测试，所述第一测试管脚1有n个，所述晶体管5有2n个，n为大于1的整数； 所述第二测试管脚2以及所述选址电路3耦合到所述选通电路4，所述选通电路4耦合到所述多个晶体管5的栅极，所述第二测试管脚2用于接入第二电信号，所述第二电信号用于导通所述第一晶体管； 所述选址电路3被配置为： 根据所述多个第一测试管脚1上的所述第一电信号，控制所述选通电路4将所述第二电信号施加到所述第一晶体管的栅极，控制所述选通电路4将第三电信号施加到多个晶体管中第二晶体管的栅极，所述第三电信号用于关闭所述第二晶体管，所述第二晶体管为所述多个晶体管5中除所述第一晶体管之外的晶体管。

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