中国科学院微电子研究所韩春蕊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利基于超表面的片上光学耦合系统及自由空间入射光与片上波导的耦合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118655659B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410801567.2，技术领域涉及：G02B6/26；该发明授权基于超表面的片上光学耦合系统及自由空间入射光与片上波导的耦合方法是由韩春蕊;韩晓慧;赵欢;刘思远;陈卓;桑云刚;薛林虎;勾钺;王宇设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于超表面的片上光学耦合系统及自由空间入射光与片上波导的耦合方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于超表面的片上光学耦合系统及自由空间入射光与片上波导的耦合方法，该基于超表面的片上光学耦合系统包括金属基板、SiO22薄膜、超表面耦合器以及片上波导。SiO22薄膜设置于金属基板上，SiO22薄膜的形状为扇形；超表面耦合器设置于SiO22薄膜上，超表面耦合器适用于将自由空间入射光转化为表面等离激元，并诱导表面等离激元向SiO22薄膜的扇形尖端传播，形成聚焦等离激元；片上波导的一端与SiO22薄膜的扇形尖端耦合，以将聚焦等离激元转化为导波模式，实现TM导波模式在片上波导内的传输；超表面耦合器包括多个呈扇形排布的人工原子，扇形对应的圆心角的范围包括30°~180°，以实现较大视场范围的自由空间入射光的收集。
本发明授权基于超表面的片上光学耦合系统及自由空间入射光与片上波导的耦合方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超表面的片上光学耦合系统，其中，包括： 金属基板； SiO2薄膜，设置于所述金属基板上，所述SiO2薄膜的形状为扇形； 超表面耦合器，设置于所述SiO2薄膜上，所述超表面耦合器适用于将自由空间入射光转化为表面等离激元，并诱导所述表面等离激元向所述SiO2薄膜的扇形尖端传播，形成聚焦等离激元； 片上波导，所述片上波导的一端与所述SiO2薄膜的扇形尖端耦合，以将所述聚焦等离激元转化为导波模式，实现所述导波模式在所述片上波导内的传输； 其中，所述超表面耦合器包括多个呈扇形排布的人工原子，所述扇形对应的圆心角的范围为30°~180°，以实现大视场范围的所述自由空间入射光的收集。
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