中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院罗军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种铁电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118522733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410575830.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种铁电器件及其制备方法是由罗军;童克友;许静;陈博涵;王晓磊;许滨滨设计研发完成，并于2024-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种铁电器件及其制备方法，可以应用于半导体技术领域。该铁电器件包括：衬底层；底栅电极，位于衬底层内；铁电层，位于铁电器件内部，铁电层的下表面与底栅电极接触；第一器件隔离层，围绕铁电层；沟道层，与铁电层的上表面接触；源端电极、漏端电极和顶栅电极，均与沟道层的上表面接触；第二器件隔离层，位于源端电极、漏端电极和顶栅电极彼此之间；停止层，位于第一器件隔离层和第二器件隔离层之间，且围绕源端电极、漏端电极和顶栅电极。
本发明授权一种铁电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电器件，包括： 衬底层； 底栅电极，位于所述衬底层内； 铁电层，位于所述铁电器件内部，所述铁电层的下表面与所述底栅电极接触； 第一器件隔离层，围绕所述铁电层； 沟道层，与所述铁电层的上表面接触； 源端电极、漏端电极和顶栅电极，均与所述沟道层的上表面接触，包括：所述源端电极的源极层形成于所述铁电层的上表面并与所述沟道层的一侧壁和上表面接触；所述漏端电极的漏极层形成于所述铁电层的上表面并与所述沟道层的另一侧壁和上表面接触；所述顶栅电极形成于所述沟道层的上表面；其中，在对所述顶栅电极施加偏置电压的情况下，所述顶栅电极、所述源端电极和所述漏端电极和所述沟道层共同用作逻辑运算单元；在对所述底栅电极施加偏置电压的情况下，所述底栅电极、所述源端电极和所述漏端电极和所述沟道层共同用作数据存储单元； 第二器件隔离层，位于所述源端电极、所述漏端电极和所述顶栅电极彼此之间； 停止层，位于所述第一器件隔离层和所述第二器件隔离层之间，且围绕所述源端电极、所述漏端电极和所述顶栅电极。
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