中国科学院上海技术物理研究所王旭东获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118099269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410216947.X，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器及其制备方法和应用是由王旭东;伍帅琴;陈艳;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩;王建禄设计研发完成，并于2024-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电器件技术领域，具体涉及一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器及其制备方法和应用。本发明提供了一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器，包括自下而上依次设置的绝缘衬底、二碲化钼层、源极和漏极层以及图形分区极化铁电层。过渡金属硫族化合物二碲化钼是一种层状结构二维半导体材料，其晶格结构为各向同性，基于二碲化钼制备的器件一般用于可见光波段的光电探测，不具备偏振敏感性。本发明提供的红外偏振光电探测器将二碲化钼层与图形分区极化铁电层复合，利用图形化铁电畴调控，不仅可以利用铁电剩余极化电场拓展其探测波段，还能够打破二碲化钼对称性，实现可见到近红外波段的高灵敏偏振光电探测。
本发明授权一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器，其特征在于，包括自下而上依次设置的绝缘衬底1、二碲化钼层2、源极和漏极层以及图形分区极化铁电层5； 所述二碲化钼层2两边空有未覆盖的绝缘衬底1； 所述源极和漏极层设置在所述二碲化钼层2和所述二碲化钼层2未覆盖的绝缘衬底1表面；所述源极和漏极层包括源金属电极3和漏金属电极4；所述源金属电极3和漏金属电极4之间空有沟道位置； 所述图形分区极化铁电层5设置在所述源极和漏极层以及所述沟道位置表面； 所述二碲化钼层2的厚度为1~10nm； 所述源极和漏极层的厚度为20~100nm；所述源金属电极3和漏金属电极4独立地为铬金电极或石墨烯电极； 所述图形分区极化铁电层5的厚度为50~300nm；所述图形分区极化铁电层5的成分为偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物； 所述图形分区极化铁电层5的分区极化图形为“T”字型阵列。
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