西安交通大学张易军获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117660923B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311826234.7，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法是由张易军;田赫;任巍;叶作光;王虹设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法，包括以下步骤：利用原子层沉积ALD方法生长高质量AlScN薄膜，本发明能够减少薄膜中的缺陷，避免界面的不均匀性和缺陷使得AlScN薄膜与基底之间的界面质量得到显著改善，这与传统生长方式相比将有助于提高薄膜的结构完整性、三维均匀性、界面耦合以及界面态的影响。优化界面质量对于提高薄膜的性能至关重要。
本发明授权一种原子层沉积法生长AlScN薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积法生长AlScN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：利用ALD方法生长得到AlScN薄膜；利用ALD方法生长得到AlScN薄膜，具体方法是： 步骤1，将洁净的衬底放入ALD反应器中； 步骤2，设置AlScN前驱体温度进行气化，设置ALD反应器的温度、压力、气体流量和脉冲时间； 步骤3，在步骤2的基础上，在衬底上沉积生长得到AlScN薄膜； 步骤2中，设置AlScN前驱体温度为100-150℃进行气化； 步骤2中，AlScN前驱体包括铝的前驱体、钪的前驱体、氮的前驱体，其中，铝的前驱体为三甲基铝；钪的前驱体为Sc-Cp2或Sc-Cp3；氮的前驱体为氮气等离子体、氨气或氨气等离子体； 步骤3中，在衬底上沉积生长得到AlScN薄膜之后进行退火处理，以优化薄膜性能得到结晶质量更好的AlScN薄膜； 退火的工艺条件是：退火温度为500℃-1100℃，退火时间为30-120分钟； 步骤2中，设置ALD反应器的温度为100-400℃、压力为5-10Torr、气体流量为100-300sccm、脉冲时间为50-500ms。
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