中物院成都科学技术发展中心李寅川获国家专利权
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龙图腾网获悉中物院成都科学技术发展中心申请的专利一种高性能微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117645481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311509459.X，技术领域涉及：C04B35/49；该发明授权一种高性能微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法是由李寅川;刘显波;刘彤;李绍敏;王正上;崔旭东设计研发完成，并于2023-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高性能微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高性能陶瓷技术领域，具体涉及一种高性能微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法，包括以下步骤：首先通过固相反应制备Ca0.650.65Bi0.350.35Ti0.650.65Zr0.350.35O33‑5wt.％Li22TiO33陶瓷粉体，引入0.5wt.％‑3wt.％PTFE至所述陶瓷粉体中，通过冷烧结方法制备。通过冷烧结方法极大的降低了微波介质陶瓷的烧结温度，节约能源、降低成本。
本发明授权一种高性能微波介质陶瓷及其冷烧结制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能微波介质陶瓷冷烧结制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 首先通过固相反应制备陶瓷粉体，引入0.5wt.％-3wt.％PTFE至所述陶瓷粉体中，通过冷烧结方法制备，具体包括以下步骤： S1．将原料CaCO3、TiO2、Bi2O3、ZrO2依次进行烘干、球磨、喷雾造粒和煅烧，获得Ca0.65Bi0.35Ti0.65Zr0.35O3； S2．将原料TiO2和Li2CO3依次进行烘干、球磨、喷雾造粒和煅烧后获得Li2TiO3； S3.将得到的Ca0.65Bi0.35Ti0.65Zr0.35O3和Li2TiO3进行球磨和喷雾造粒后获得Ca0.65Bi0.35Ti0.65Zr0.35O3-5wt.％Li2TiO3； S4．将得到的Ca0.65Bi0.35Ti0.65Zr0.35O3-5wt.％Li2TiO3陶瓷粉体和PTFE粉体球磨后喷雾造粒； S5．步骤S4中得到的粉体研磨，将研磨粉体过筛后进行热压成型，烘干后即得目标复合材料； 所述研磨为加入7wt.％的去离子水研磨5min； 所述热压成型为在150℃的温度和300MPa的压力下成型，并保温1h。
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