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龙图腾网获悉深圳大普微电子股份有限公司申请的专利一种数据上下电处理方法、系统、设备及计算机存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117492657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311552830.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种数据上下电处理方法、系统、设备及计算机存储介质是由李玉先;周辉设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种数据上下电处理方法、系统、设备及计算机存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种数据上下电处理方法、系统、设备及计算机存储介质，掉电时，获取未写入TLC中的目标数据及其在TLC中的第一LBA地址；将目标数据及第一LBA地址存入SLC中；获取目标数据存入SLC中的第二LBA地址及第二PBA地址；建立第二LBA地址分别与第一LBA地址和第二PBA地址的映射关系；上电后，从SLC中读取目标数据和第一LBA地址，按照第一LBA地址对目标数据进行排序，得到目标排序结果；将目标排序结果分类为满足TLC的最小数据写入量的第一排序结果和不满足TLC的最小数据写入量的第二排序结果，基于第一排序结果和第二排序结果将目标数据写入TLC中。提高了SSD在上下电时的数据存储性能。

本发明授权一种数据上下电处理方法、系统、设备及计算机存储介质在权利要求书中公布了：1.一种数据上下电处理方法，其特征在于，包括： 掉电时，获取未写入TLC中的目标数据及其在所述TLC中的第一LBA地址；将所述目标数据及所述第一LBA地址存入SLC中；获取所述目标数据存入所述SLC中的第二LBA地址及第二PBA地址；建立所述第二LBA地址分别与所述第一LBA地址和所述第二PBA地址的映射关系； 上电后，根据所述第二LBA地址和所述第二PBA地址从所述SLC中读取所述目标数据和所述第一LBA地址，按照所述第一LBA地址对所述目标数据进行排序，得到目标排序结果；将所述目标排序结果分类为满足所述TLC的最小数据写入量的第一排序结果和不满足所述TLC的最小数据写入量的第二排序结果，基于所述第一排序结果和所述第二排序结果将所述目标数据写入所述TLC中； 其中，所述根据所述第二LBA地址和所述第二PBA地址从所述SLC中读取所述目标数据和所述第一LBA地址，包括： 从所述SLC中读取所述目标数据和所述第一LBA地址至缓存中； 其中，所述基于所述第一排序结果和所述第二排序结果将所述目标数据写入所述TLC中，包括： 将所述第一排序结果对应的第一数据写入所述TLC中； 将所述第二排序结果对应的第二数据从所述缓存写回至内存中，待所述第二数据达到所述TLC的最小数据写入量后，将所述第二数据写入所述TLC中。

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