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龙图腾网获悉汉威科技集团股份有限公司申请的专利一种基于FLASH的数据存储查询方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117492653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311493779.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种基于FLASH的数据存储查询方法是由高锋;王振;吕向峰;王月强;郑建利;贺德江设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于FLASH的数据存储查询方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于FLASH的数据存储查询方法，步骤为：将FLASH存储区域划分为用来存放数据存储基本信息的索引区域、用来存放坏页编号的坏页区域和用于存放最终数据的数据体存储区域；判断是否存在坏页，如果存在坏页则跳过此页，如果不存在坏页判断继续写入数据是否正确，如果不正确写入坏页区域，如果正确将数据写入数据体存储区域；通过索引区域获取索引信息，根据索引信息读取数据体存储区域中的具体数据信息，当数据体存储区域中存在坏页时跳过坏页。本发明可实现数据写入连续性、数据存储可靠性、坏页检测及快速数据查询；且可以监测FLASH健康状况，提高数据可靠性。

本发明授权一种基于FLASH的数据存储查询方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FLASH的数据存储查询方法，其特征在于，其步骤如下： 步骤一、区域划分：将FLASH存储区域划分为用来存放数据存储基本信息的索引区域、用来存放坏页编号的坏页区域和用于存放最终数据的数据体存储区域； 步骤二：数据写入：判断是否存在坏页，如果存在坏页则跳过此页，如果不存在坏页判断继续写入数据是否正确，如果不正确写入坏页区域，如果正确将数据写入数据体存储区域； 步骤三：数据查询：通过索引区域获取索引信息，根据索引信息读取数据体存储区域中的具体数据信息，当数据体存储区域中存在坏页时跳过坏页； 所述索引区域包括公有数据区域和多个数据单元信息，公有数据区域用于存储数据的基础信息，数据单元信息用于存储数据查询的信息； 所述公有数据区域包含存储区域满标识、写入数据地址、有效数据单元、坏页页数标识，存储区域满标识的作用是获取FLASH存储区域的存储状况，如果存满，则将最早数据覆盖更新为最新数据而形成环形存储；写入数据地址的作用为快速定位数据写入到数据体存储区域的地址位置；有效数据单元的作用为便于数据单元信息快速查询匹配，快速获取目标数据；坏页页数标识的作用为记录坏页数量，获取FLASH健康状况和遍历坏页区域获取坏页编号，在数据读写时提前跳过坏页进行数据读写； 所述数据单元信息包含数据存储时间、数据存储起始地址和数据存储长度，数据存储时间记录目标数据存储的具体时间；数据存储起始地址记录目标数据存放在数据体存储区域的具体位置；数据存储长度记录目标数据的大小。

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