美光科技公司R·穆泽托获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元读取操作技术获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117476054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310926956.3,技术领域涉及:G11C5/14;该发明授权存储器单元读取操作技术是由R·穆泽托;F·马斯特罗扬尼;F·贝代斯基;N·N·加杰拉设计研发完成,并于2023-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元读取操作技术在说明书摘要公布了:本申请涉及存储器单元读取操作技术。存储器装置可确定对一组存储器单元的读取操作的第二阶段的起始电压,所述起始电压可具有与所述读取操作的第一阶段的起始电压的量值不同的量值。例如,所述存储器装置可使用所述第一阶段的终止电压来确定所述第二阶段的所述起始电压。在一些情况下,所述第二阶段的所述起始电压可对应于电压偏移与所述第一阶段的所述终止电压的差。作为所述读取操作的所述第二阶段的部分,所述存储器装置可根据所述第二阶段的所述经确定起始电压将电压序列施加到所述一组存储器单元。
本发明授权存储器单元读取操作技术在权利要求书中公布了:1.一种用于操作存储器装置的方法,其包括: 作为对一组存储器单元的读取操作的第一阶段的部分,将具有第一极性的第一电压序列施加到所述一组存储器单元,所述第一电压序列与第一起始电压相关联; 至少部分地基于所述第一电压序列中的终止电压,确定与具有第二极性的第二电压序列相关联的第二起始电压,所述第二起始电压具有与所述第一起始电压的量值不同的量值;及 作为所述读取操作的第二阶段的部分,根据所述第二起始电压将所述第二电压序列施加到所述一组存储器单元。
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