拓荆科技(上海)有限公司刘鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种填隙方法和填隙装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117467970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311434343.4，技术领域涉及：C23C16/04；该发明授权一种填隙方法和填隙装置是由刘鑫;林蓬涛设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种填隙方法和填隙装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种填隙方法和填隙装置。填隙方法包括以下步骤：向带有间隙的晶圆表面通入PEALD前驱体，并在通入PEALD前驱体的过程中向晶圆表面提供第一射频能量，以在晶圆表面生成第一PECVD薄膜；停止通入PEALD前驱体，并向晶圆表面提供第二射频能量，以在第一PECVD薄膜表面生成PEALD薄膜；在提供第二射频能量的后段再次向晶圆表面通入PEALD前驱体，以在PEALD薄膜表面生成第二PECVD薄膜；以及在生成第一PECVD薄膜、PEALD薄膜及第二PECVD薄膜之后，再次向晶圆表面通入PEALD前驱体，并同时向晶圆表面提供第三射频能量，以在第二PECVD薄膜表面生成混合薄膜。
本发明授权一种填隙方法和填隙装置在权利要求书中公布了：1.一种填隙方法，其特征在于，包括以下步骤： 向带有间隙的晶圆表面通入PEALD前驱体，并在通入所述PEALD前驱体的过程中向所述晶圆表面提供第一射频能量，以在所述晶圆表面生成第一PECVD薄膜； 停止通入所述PEALD前驱体，并向所述晶圆表面提供第二射频能量，以在所述第一PECVD薄膜表面生成PEALD薄膜； 在提供所述第二射频能量的后段再次向所述晶圆表面通入所述PEALD前驱体，以在所述PEALD薄膜表面生成第二PECVD薄膜；以及 在生成所述第一PECVD薄膜、所述PEALD薄膜及所述第二PECVD薄膜之后，再次向所述晶圆表面通入所述PEALD前驱体，并同时向所述晶圆表面提供第三射频能量产生PECVD反应，以在所述第二PECVD薄膜表面形成PEALDamp;PECVD原位薄膜。
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