福建海梵领航科技有限公司陈秉辉获国家专利权
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龙图腾网获悉福建海梵领航科技有限公司申请的专利一种去除单壁碳纳米管粗品中碳杂质和金属杂质的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117466288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311435686.2，技术领域涉及：C01B32/17；该发明授权一种去除单壁碳纳米管粗品中碳杂质和金属杂质的方法是由陈秉辉;胡丹丹;李晓蹊设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除单壁碳纳米管粗品中碳杂质和金属杂质的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种去除单壁碳纳米管粗品中碳杂质和金属杂质的方法，涉及碳纳米管材料的分离提纯技术领域。本发明方法包括以下步骤：将单壁碳纳米管在二氧化碳气氛下进行煅烧处理，然后经过甲苯回流、加入聚乙烯吡咯烷酮和酸，得到纯化的单壁碳纳米管。本发明通过在二氧化碳气体的条件下进行煅烧去除多余的无定形碳，在甲苯中回流实现单壁碳纳米管的高度分离，同时加入浓酸和聚乙烯吡咯烷酮以去除金属杂质，最后高温煅烧分解残留的聚乙烯吡咯烷酮，提高单壁碳纳米管的纯度。本发明的提纯方法具有高纯度、高效率和优质产物的特点。用本发明的方法提纯单壁碳纳米管，具有较为优异的提纯效率，纯化后的单壁碳纳米管具有较高的纯度。
本发明授权一种去除单壁碳纳米管粗品中碳杂质和金属杂质的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除单壁碳纳米管粗品中碳杂质和金属杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将单壁碳纳米管粗品在二氧化碳气氛下进行煅烧处理，然后经过甲苯回流、加入聚乙烯吡咯烷酮和酸、二次煅烧，得到纯化的单壁碳纳米管； 所述二氧化碳的流量为800sccm，所述煅烧处理的温度为700-900℃，所述煅烧处理的时间为3-6h； 所述加入聚乙烯吡咯烷酮和酸为同时加入聚乙烯吡咯烷酮和酸； 所述二次煅烧的气氛为氩气气氛，所述二次煅烧的温度为600-900℃，所述二次煅烧的时间为10-16h。
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