中国科学院金属研究所马来鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种在非金属基体表面低温生长石墨烯的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117446790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210852314.9，技术领域涉及：C01B32/186；该发明授权一种在非金属基体表面低温生长石墨烯的方法是由马来鹏;任文才;成会明设计研发完成，并于2022-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在非金属基体表面低温生长石墨烯的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及石墨烯材料及其化学气相沉积CVD制备技术，具体为一种在非金属基体表面低温生长石墨烯的方法，适于不采用金属催化剂和高温条件制备单层及多层石墨烯。该方法使用含有离域键的有机物作为碳源的添加剂，利用其中的离域键促进碳源在非金属表面重构形成石墨烯。通过加入含有离域键的有机物可以有效促进较低温度条件下石墨烯在非金属基体表面的形核和长大，无需使用金属催化剂和高温。采用本发明所述方法，可在非金属基体上低温生长出高质量的石墨烯，从而避免常规转移过程对石墨烯器件性能的不利影响。
本发明授权一种在非金属基体表面低温生长石墨烯的方法在权利要求书中公布了：1.一种在非金属基体表面低温生长石墨烯的方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在非金属基体表面生长石墨烯的反应中，使用含有离域键的有机物作为碳源的添加剂，含有离域键的有机物为蔡斯盐、乙硼烷、氟化氙或苯甲醛，利用离域键对碳源的重构作用将碳源在非金属表面转变为石墨烯； 通过提高含有离域键的有机物的相对浓度调控石墨烯的结晶程度，实现从非晶碳、到热解碳直至石墨烯的转变； 通过混合或有机化学反应的方式将含有离域键的有机物加入碳源中；对于混合的方式，含有离域键的有机物在碳源中的典型浓度大于0.1wt％； 采用含有离域键的有机物显著降低化学气相沉积法在非金属表面制备石墨烯的温度，能够实现在800℃以下制备石墨烯。
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