贵州大学;成都工具研究所有限公司杜昊获国家专利权
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龙图腾网获悉贵州大学;成都工具研究所有限公司申请的专利一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117364040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311335266.7，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法是由杜昊;李潇阳;施杰;陈云;胡恒宁;谢明强设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法，属于高熵碳化物薄膜技术领域，该薄膜通过使用直流磁控溅射技术共溅射四元合金靶和石墨靶，制备出的薄膜致密且具有柱状晶结构，薄膜中各元素的原子百分比含量经计算分别为Hf18.34%~21.01%、Mo16.02%~18.23%、Nb15.54%~17.52%、Zr16.23%~17.81%、C25.43%~33.87%。本发明通过在高熵合金薄膜中掺杂碳元素，可以有效改善高熵合金薄膜的力学性能和耐磨性，制备出的高熵碳化物薄膜具有较高的硬度、高的弹性模量和优异的耐磨性，为制备具有更优异性能并应用于刀具及模具等表面工程领域的硬质保护层提供了一种理论基础。
本发明授权一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双相HfMoNbZr高熵碳化物薄膜，其特征在于：以HfMoNbZr四元合金靶和石墨靶作为靶材，以硅片和Al2O3片作为基体采用磁控溅射技术共溅射沉积获得，所述薄膜中各元素的原子百分比含量分别为Hf18.34%~21.01%、Mo16.02%~18.23%、Nb15.54%~17.52%、Zr16.23%~17.81%、C25.43%~33.87%；所述薄膜具有面心立方结构FCC和简单六方结构HCP并且截面形貌表现为致密的柱状晶结构。
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