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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利超导量子比特芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117291272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311440761.4，技术领域涉及：G06N10/20；该发明授权超导量子比特芯片及其制备方法是由梁珪涵;相忠诚;宋小会;许凯;范桁;郑东宁设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本超导量子比特芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：提供一种超导量子比特芯片及其制备方法，其中所述超导量子比特芯片包括布线层芯片和比特层芯片，并且所述布线层芯片和所述比特层芯片能够通过倒装焊工艺互相耦合，所述方法包括：在图案化的布线层芯片和比特层芯片的衬底上制备深底切结构，所述深底切结构的尺寸大于所需的压焊超导体的尺寸，其中所述压焊超导体在常温下施加足够的压力能够实现机械以及超导连接；在所述深底切结构中制备用于压焊的压焊超导体柱子。

本发明授权超导量子比特芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超导量子比特芯片的制备方法，其中所述超导量子比特芯片包括布线层芯片和比特层芯片，并且所述布线层芯片和所述比特层芯片能够通过倒装焊工艺互相耦合，所述方法包括： 在图案化的布线层芯片和比特层芯片的衬底上制备深底切结构，所述深底切结构的尺寸大于所需的压焊超导体的尺寸，其中所述压焊超导体在常温下施加足够的压力能够实现机械以及超导连接； 在所述深底切结构中制备用于压焊的压焊超导体柱子； 其中，在图案化的布线层芯片和比特层芯片的衬底上制备所述深底切结构包括： 在图案化的布线层芯片和比特层芯片的衬底上旋涂第一层光刻胶，其厚度大于所需的压焊超导体的高度； 对所述第一层光刻胶执行第一次曝光，曝光图形大于所需的压焊超导体的长和宽； 旋涂第二层光刻胶，所述第二层光刻胶的厚度小于所述第一层光刻胶的厚度； 对所述第二层光刻胶执行第二次曝光，曝光图形与所需的压焊超导体的长和宽一致； 用显影液显影，获得所述深底切结构；以及 在所述深底切结构中制备用于压焊的压焊超导体柱子包括蒸镀压焊超导体膜，去除光刻胶，获得压焊超导体柱子； 其中，所述方法还包括： 在比特层芯片和布线层芯片之一的压焊区域周围布置多个大面积压焊超导体，而在另一芯片的对应位置不生长压焊超导体，其中所述大面积压焊超导体的横截面大于所述压焊超导体柱子的横截面； 其中，所述方法还包括： 在步骤旋涂第一层光刻胶之前将比特层芯片的压焊区域中的压焊观察窗口位置处表面的膜移除，其中比特层芯片的衬底为双面抛光的透明衬底； 在所述压焊观察窗口处制备压焊超导体柱子，同时在布线层芯片的对应位置也制备压焊超导体柱子和或额外的大面积压焊超导体。

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