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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利开关用GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117272899B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311215246.6，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权开关用GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法是由毛书漫;黄磊;徐跃杭设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本开关用GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种开关用GaNHEMT物理基大信号模型参数提取方法，属于半导体器件建模与设计领域，包括晶体管电流模型参数提取；晶体管本征栅源和栅漏电容计算；边缘电容模型参数提取。本发明通过准确提取考虑反偏条件下源漏互置效应的等效栅极电压模型参数的方式，实现了对漏极反偏状态下电流特性的准确表征；利用边缘电容偏置相关模型的参数提取方法，实现了深夹断区非线性电容的准确表征，进而成功实现了开关器件关态下小信号和大信号特性的精准建模。

本发明授权开关用GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种开关用GaNHEMT物理基大信号模型参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤： 进行多偏置静态DCIV特性和S参数测试，分别得到实测DCIV数据以及多偏置S参数实测数据； 利用源漏互置效应及所述实测DCIV数据提取晶体管电流模型的参数；所述晶体管电流模型的模型方程为： ； 其中，Isat=WqnsVgsvsat，q为电子电荷量，vsat为电子饱和速度，W为栅宽，nsVgs为电子面密度，ls，ld和lg分别为栅源间距，栅漏间距和栅长，Isat表示器件在所加栅压下的最大电流，为场-速关系的阶数，Vds为漏源电压，为等效临界电场模型，方程如下所示： E c =a0+a1Vgsb0+b1T+b2T2； 式中a0，a1，b0，b1和b2为拟合参数，Vgs为栅源电压，T为晶体管沟道温度； 所述栅源电压Vgs采用源漏置换后的栅源电压Vgst计算得到，公式如下： ； 其中，K是拟合参数，根据所述实测DCIV数据结合最小二乘法提取得到； 计算晶体管本征栅源电容和本征栅漏电容； 基于所述多偏置S参数实测数据提取边缘电容模型参数，包括： 利用冷夹断状态下测量的S参数提取寄生参数； 采用热偏置下测量的S参数提取本征参数，所述本征参数包括栅源电容和栅漏电容； 使所述栅源电容减去所述本征栅源电容，所述栅漏电容减去所述本征栅漏电容，分别得到不同偏置下源端边缘电容和漏端边缘电容的离散数据； 源端边缘电容模型公式为： ； 漏端边缘电容模型公式为： ； 式中，和分别表示源端外部电容和漏端外部电容，和分别表示源端内部电容和漏端内部电容，为栅源电压，为阈值电压，F为另一拟合参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学长三角研究院(湖州)，其通讯地址为：313001 浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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