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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学;哈尔滨工业大学重庆研究院申请的专利一种深空探测用封装加固材料辐射屏蔽性能及宇航芯片抗辐射性能的评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117269205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310405982.1，技术领域涉及：G01N23/02；该发明授权一种深空探测用封装加固材料辐射屏蔽性能及宇航芯片抗辐射性能的评价方法是由吴晓宏;郑宏超;李杨;洪杨;何明宇;卢松涛;秦伟设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深空探测用封装加固材料辐射屏蔽性能及宇航芯片抗辐射性能的评价方法在说明书摘要公布了：一种深空探测用封装加固材料辐射屏蔽性能及宇航芯片抗辐射性能的评价方法，属于航天与辐射防护领域。本发明针对目前地面采用6060Co进行总剂量测试的手段无法正确反馈封装加固材料与芯片在实际深空辐射环境下的辐射屏蔽性能和运行状态的现状。本发明采用电子‑质子联用的测试方法，基于地面测试系统条件下尽可能还原航天器在轨运行时所处的真实深空辐射环境，并用于对抗辐射封装加固材料的防辐射和芯片抗辐射性能进行测试与评价，进而判断封装加固的电子器件是否满足实际应用条件下的抗辐射需求。本发明实现深空探测辐射环境中封装加固材料防辐射性能与芯片抗辐射性能评价的问题。

本发明授权一种深空探测用封装加固材料辐射屏蔽性能及宇航芯片抗辐射性能的评价方法在权利要求书中公布了：1.一种深空探测用封装加固材料辐射屏蔽性能及宇航芯片抗辐射性能的评价方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、分析轨道环境下辐射粒子能量组成及各部分占比，分别得到轨道环境下电子和质子能谱； S2、基于步骤S1的能谱结果，确定选用的辐射粒子种类和加速器，利用仿真软件计算出能谱中各个单一能量粒子在单层硅探测器中所贡献的初始剂量，合理分配各单一能量辐射源的辐照剂量在能谱总剂量下占比； S3、以S2获得的初始剂量作为单一能量下测试时的总辐照剂量，并将总辐照剂量转换成辐照总注量； S4、根据宇航芯片的抗辐射需求，设计封装加固屏蔽材料的元素组成与成分配比，利用仿真软件计算得到符合需求的屏蔽材料厚度； S5、将待测的屏蔽材料放置在样品台上固定，并将待测芯片插入测试夹具中，按照电子总剂量分析计算结果，对屏蔽材料和芯片在相应剂量下进行辐照试验，记录屏蔽材料前后剂量计读数，电子辐照试验结束后，将屏蔽材料进行低温冷冻处理； S6、对辐照试验后的芯片进行电信号测试并收集数据，若电信号正常，则进行下一步测试流程；若电信号不正常，则判定该种屏蔽材料不能满足芯片的抗辐射需求； S7、对电信号正常的芯片与封装加固屏蔽材料进一步进行质子辐照测试，将待测的屏蔽材料放置在样品台上固定，并将待测芯片插入测试夹具中，按照质子总剂量分析计算结果，对屏蔽材料和芯片在相应剂量下进行质子辐照试验，读取屏蔽材料前后剂量计读数并记录； S8、辐照试验结束后，屏蔽材料性能测试结束，采用剂量计标定材料屏蔽前后剂量，分析数据并计算屏蔽性能； S9、对电子和质子辐照试验后的芯片进行电信号测试并收集数据，若电信号正常，则进行下一步测试流程，若电信号不正常，则判定该种屏蔽材料不能满足芯片的抗辐射需求； S10、对电信号正常的芯片继续进行50%加大剂量的过辐照实验，并在高温退火后对芯片再次进行电信号测试，若测试结果合格，辐照试验结束； S11、通过原位测试电信号的变化，判断芯片的运行状态，并与未经封装加固芯片的电信号做对比，判断芯片在深空辐射环境下的抗辐射性能及屏蔽材料对芯片的封装加固效果； S1中，所述能谱为微分通量能谱； S2中，所述单层硅探测器厚度为5μm-80μm；仿真软件种类为MCNP、Cacino、Fastrad、或Omere；辐射源射线类型为全向光源或平行光源；材料构型为平板构型或球构型； S3中，利用材料对带电粒子阻止本领的经验公式将总辐照剂量转换成辐照总注量； 材料对带电粒子阻止本领的经验公式如下： 1 其中，D为总辐照剂量，单位：Gy=Jkg；Φ为总辐照注量，单位：个cm2；Sρ为阻止本领，单位：MeV•cm2g； S4中，所述材料设计长和宽均在10mm-25mm之间，直径10mm＜φ＜25mm；仿真软件种类为MCNP、Cacino、Fastrad、或Omere；辐射源射线类型为全向光源或平行光源；材料构型为平板构型或球构型； S5中，所述电子注量率范围为1E+07-1E+10ecm2s； S7中，所述质子注量率范围为1E+07-1E+10pcm2s，单个样品辐照时间为15min-30min； S8中，所述剂量计种类为丙氨酸、GAFCHROMIC、GAFHD-V2、B3； S8中，在屏蔽材料样品前后各放置1个剂量计，经辐照后，剂量计会根据受到辐照剂量的大小发生不同程度的变色，用紫外可见分光光度计对剂量计的吸光度进行测试，将测试结果与标准对照表进行对比，可得到辐照前后剂量计吸收的剂量值，由此可计算屏蔽材料的辐射屏蔽率，得到材料的屏蔽性能。

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