阿莫泰克有限公司朴奎焕获国家专利权
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龙图腾网获悉阿莫泰克有限公司申请的专利氮化硅基板的制造方法及由此制造的氮化硅基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117242044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280032652.6，技术领域涉及：C04B35/584；该发明授权氮化硅基板的制造方法及由此制造的氮化硅基板是由朴奎焕;郑勋设计研发完成，并于2022-05-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅基板的制造方法及由此制造的氮化硅基板在说明书摘要公布了：提供一种氮化硅基板的制造方法及由此制造的氮化硅基板。根据本发明的一实施例的氮化硅基板的制造方法包括：制备包括金属硅粉末、包含含稀土元素化合物和含镁化合物的晶相控制粉末的陶瓷组合物的步骤；使用通过将上述陶瓷组合物与溶剂和有机粘合剂混合而制备的浆料制造片状成型体的步骤；及包括在对于上述成型体以预定压力施加氮气的同时在1300℃至1500℃范围内的第一温度下进行热处理的氮化区间和在1700℃至1900℃范围内的第二温度下进行热处理的烧结区间的热处理步骤。据此，与以往相比，可以减少制造时间和工时，因此适合于大规模生产。
本发明授权氮化硅基板的制造方法及由此制造的氮化硅基板在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅基板的制造方法，其特征在于，包括： 制备包括金属硅粉末、包含摩尔比为1:1.5至2.0的氧化钇的稀土元素化合物和含镁化合物的晶相控制粉末的陶瓷组合物的步骤，所述含镁化合物为氧化镁； 使用通过将上述陶瓷组合物与溶剂和有机粘合剂混合而制备的浆料制造片状成型体的步骤；及 包括在对于上述成型体以0.14至0.18MPa的压力施加氮气的同时在1300℃至1500℃范围内的第一温度下进行热处理的氮化区间，从上述第一温度升温至1700±20℃且在0.15～0.30MPa氮气压力下以0.1～10.0℃分钟的速度升温的第一收缩区间，和在1700℃至1900℃范围内的第二温度下进行热处理的烧结区间； 其中，在上述热处理步骤中，从1000±20℃至所述第一温度，以0.14至0.18MPa的压力施加氮气的同时，并以0.5至1℃分钟的速度升温。
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