京东方科技集团股份有限公司;成都京东方显示科技有限公司;北京京东方技术开发有限公司李凡获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方显示科技有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117148635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311107655.4,技术领域涉及:G02F1/1343;该发明授权一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置是由李凡;吴潘强;任驹;李林;张勇设计研发完成,并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置,用以减小暗线长度,提高子像素的透过率。本申请实施例提供的一种阵列基板包括:第一衬底基板,以及位于第一衬底基板一侧沿第一方向以及第二方向阵列排布的多个子像素;第一方向与第二方向交叉;子像素包括:电极部,电极部包括多个狭缝;狭缝的延伸方向与第一方向和第二方向均交叉;电极部分为沿第二方向排列的两个狭缝区;狭缝区沿其对角线分为沿第一方向的正向排列的两个子区域,两个子区域中的其中一个子区域的狭缝的延伸方向与第一方向的正向之间的夹角大于0且小于90,两个子区域中的另一个子区域的狭缝的延伸方向与第一方向的正向之间的夹角大于90且小于180。
本发明授权一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:第一衬底基板,以及位于所述第一衬底基板一侧沿第一方向以及第二方向阵列排布的多个子像素;所述第一方向与所述第二方向交叉; 所述子像素包括:电极部,所述电极部包括多个狭缝;所述狭缝的延伸方向与所述第一方向和所述第二方向均交叉; 所述电极部分为沿所述第二方向排列的两个狭缝区;所述狭缝区沿其对角线分为沿所述第一方向的正向排列的两个子区域,所述两个子区域中的其中一个子区域的所述狭缝的延伸方向与所述第一方向的正向之间的夹角大于0且小于90,所述两个子区域中的另一个子区域的所述狭缝的延伸方向与所述第一方向的正向之间的夹角大于90且小于180 其中,相邻两个所述狭缝区中所述狭缝的延伸方向对称;所述两个狭缝区为对称的第一狭缝区和第二狭缝区; 所述电极部还包括多个第一条形电极,所述狭缝位于相邻两个所述第一条形电极之间,所述第一狭缝区中的部分所述第一条形电极与所述第二狭缝区中的部分所述第一条形电极一体连接。
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