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中国科学院金属研究所赵彦辉获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种材料表面含氢类金刚石薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117127151B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310874779.9,技术领域涉及:C23C14/32;该发明授权一种材料表面含氢类金刚石薄膜及其制备方法是由赵彦辉;肖金泉设计研发完成,并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

一种材料表面含氢类金刚石薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明属于材料表面处理技术领域,具体涉及一种材料表面含氢类金刚石薄膜及其制备方法。在基体或工件表面依次是金属粘结层、碳化物或碳氮化物支撑层以及ta‑C:H薄膜,金属粘结层的厚度为0.1~1.0微米,碳化物或碳氮化物支撑层的厚度为0.2~2.0微米,ta‑C:H薄膜的厚度为0.1~5微米。采用磁控溅射或电弧离子镀技术来制备金属粘结层、碳化物或碳氮化物支撑层,采用电弧增强辉光放电技术来制备ta‑C:H薄膜,薄膜的纳米压痕硬度达到60GPa以上,从而实现高质量、性能优异、大厚度ta‑C:H薄膜的制备。

本发明授权一种材料表面含氢类金刚石薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种工件表面含氢类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于,镀膜前表面先经过研磨、抛光、超声清洗、干燥后,放入真空室样品台上,待真空室内抽真空至气压达到4.5×10-3Pa时,对真空室加热至120℃,向真空室通入氩气,气压控制在0.8Pa;工件加-190V脉冲负偏压,脉冲偏压占空比为75%,通过电弧增强气体辉光放电,对工件表面进行辉光放电离子清洗45min;后调整Ar气流量,将真空室内气压控制在1.1Pa;工件加脉冲负偏压在-200V,脉冲占空比为50%,同时开启Ti靶弧源,Ti靶弧流为110A,沉积Ti膜即Ti金属粘结层25min,Ti金属粘结层厚度为0.49μm;后向真空室内通入氩气和乙炔,气压控制在1.3Pa,调脉冲负偏压至-60V,调整钛靶弧电流为90A,沉积TiC膜即TiC支撑层10min,TiC支撑层厚度为0.57μm;后通入氩气和乙炔混合气体,乙炔气体流量占总通入流量的60%,调整真空室内气压,控制在0.01Pa,调脉冲负偏压至-80V,脉冲偏压占空比为40%,同时开启电弧增强辉光放电离子源,弧电流为120A,沉积含氢DLC膜70min,含氢DLC膜厚度为0.88μm;沉积结束后,关闭电弧增强辉光放电离子源、停工件脉冲负偏压、停止通入气体,继续抽真空,工件随炉冷却至80℃以下,打开真空室,取出工件,镀膜过程结束,获得的含氢类金刚石薄膜为ta-C:H薄膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院金属研究所,其通讯地址为:110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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