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龙图腾网获悉深圳市原速光电科技有限公司申请的专利原子层沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117107220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311254635.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权原子层沉积设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本原子层沉积设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种原子层沉积设备，包括：主体，具有反应腔，所述反应腔包括多个反应区，各所述反应区用于在基片上镀膜，且通入各反应区内的反应气体各不相同；承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置所述基片；驱动组件，连接于所述承载台，所述驱动组件能够驱动所述承载台带动所述基片运动，以使所述基片在各所述反应区内镀膜。本发明的原子层沉积设备，能够在基片上镀不同类型的膜，从而有效降低镀膜的成本。

本发明授权原子层沉积设备在权利要求书中公布了：1.原子层沉积设备，其特征在于，包括： 主体，具有反应腔，所述反应腔包括多个反应区，各所述反应区用于在基片上镀膜，且通入各反应区内的反应气体各不相同； 承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置所述基片； 驱动组件，连接于所述承载台，所述驱动组件能够驱动所述承载台带动所述基片运动，以使所述基片在各所述反应区内镀膜； 所述反应腔还包括进样区，所述进样区用于供所述基片进入所述反应腔，所述驱动组件能够驱动所述承载台运动，以使所述承载台从所述进样区运动至任一所述反应区； 所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述承载台设置有多个，所述升降机构用于使所述基片升降，以使所述基片能够放置在任意一个所述承载台上； 所述升降机构包括顶针和驱动件，所述顶针用于抵持所述基片，所述驱动件连接于所述顶针，所述驱动件能够使所述顶针升降，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片上升时，所述基片能够离开所述承载台，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片下降时，所述基片能够放置在所述承载台上； 所述承载台设置有避让孔，所述避让孔呈条形，当所述承载台位于所述进样区处时，所述避让孔朝向所述进样区的一端具有开口，以使所述顶针进入所述避让孔以抵接于所述基片。

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