江西师范大学杨勇获国家专利权
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龙图腾网获悉江西师范大学申请的专利一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117105289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310569968.5，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用是由杨勇;俞挺;梁艳;袁彩雷;龚吴非;尧慎曼设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于纳米材料异质结技术领域，具体涉及一种NiOCdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiOCdS异质结阵列；所述衬底为Al22O33气敏基片；所述NiOCdS异质结阵列由NiO纳米片和CdS纳米颗粒构成，其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构，CdS纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面。本发明的制备过程简单，成本低，本发明制备得到的NiOCdS异质结阵列具有良好的异质界面接触，并且NiOCdS异质结阵列中CdS纳米颗粒的尺寸和分布密度可以方便的调控，此外，NiOCdS纳米颗粒异质结阵列可以应用在在室温气体传感中，具体在绿光激发下三乙胺的室温高选择性检测。
本发明授权一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种NiOCdS纳米颗粒异质结阵列在室温气体传感中的应用，其特征在于，所述NiOCdS纳米颗粒异质结阵列在绿光激发下NiOCdS异质结阵列对三乙胺的室温高选择性检测； NiOCdS纳米颗粒异质结阵列包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiOCdS异质结阵列；所述衬底为Al2O3气敏基片；所述NiOCdS异质结阵列由NiO纳米片和CdS纳米颗粒构成，其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构，CdS纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面； 所述NiOCdS纳米颗粒异质结阵列中NiO纳米片的横向尺寸为5μm～10μm，CdS纳米颗粒的尺寸为10nm～100nm。
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