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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种不贴膜双抛晶片清洗设备及清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117000722B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310976353.4，技术领域涉及：B08B13/00；该发明授权一种不贴膜双抛晶片清洗设备及清洗方法是由吴倩;王金灵;周铁军;田玉莲设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不贴膜双抛晶片清洗设备及清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种不贴膜双抛晶片清洗设备及清洗方法，涉及晶片清洗领域。清洗设备包括清洗槽，清洗槽内设置有可伸出或伸入清洗槽的伸缩件，伸缩件设置有可旋转的PIN盘，PIN盘设置有可对双抛晶片进行夹持或松开的若干夹持部。本申请清洗方法中依次采用酒精溶液、异丙醇溶液、碱性溶液和水对双抛晶片清洗，清洗设备在清洗过程中可以保证转速一致，严格控制清洗时间和清洗温度，在提高清洗效果和清洗效率的同时，提高了双抛晶片清洗的成品率，避免清洗产品出现晶片发白的情况，降低双抛晶片的表面粗糙度和颗粒数，晶片表面均匀。

本发明授权一种不贴膜双抛晶片清洗设备及清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种不贴膜双抛晶片清洗方法，其特征在于，采用一种不贴膜双抛晶片清洗设备，所述清洗设备包括清洗槽1，所述清洗槽1内设置有可伸出或伸入清洗槽1的伸缩件3，所述伸缩件3设置有可旋转的PIN盘2，所述PIN盘2设置有可对双抛晶片4进行夹持或松开的若干夹持部； 所述不贴膜双抛晶片清洗方法包括以下步骤： 1在超声槽中加入酒精溶液，将待清洗双抛晶片放置在超声槽中进行超声清洗； 2在清洗槽中加入含11.5vt%异丙醇的水溶液，将超声后双抛晶片送至该清洗槽中清洗，维持溶液清洗温度为18℃-23℃，清洗时间为15s-25s； 3将双抛晶片置于冲洗槽中，去离子水通过喷淋在晶片正背面对晶片正背面进行冲洗，冲洗完成后甩干； 4在另一清洗槽中加入碱性药液，碱性药液由氨水、氢氧化合物、水按质量比1：1：7-9混合配置，维持溶液的温度为18℃-25℃，将双抛晶片送至该清洗槽清洗，清洗时间为15s-25s； 5将双抛晶片置于冲洗槽中，去离子水通过喷淋在晶片正背面对晶片正背面进行冲洗，冲洗完成后甩干； 6在另一清洗槽中加入水，将双抛晶片送至该清洗槽中清洗，清洗完毕后甩干； 在步骤1中，所述酒精溶液中含45vt%-50vt%的酒精，维持溶液清洗温度在15℃-18℃，清洗时间为15s-20s； 在步骤2、4、6中，所述双抛晶片送至清洗槽中清洗的步骤为：将双抛晶片置于所述PIN盘上，旋转使双抛晶片达到2000rmin-2500rmin的转速，随后利用伸缩件使双抛晶片深入清洗槽的溶液中，转速匀速提升至3000rmin-3500rmin进行清洗。

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