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龙图腾网获悉秀博瑞殷株式公社申请的专利辅助前体、薄膜前体组合物、薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116981795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280015910.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权辅助前体、薄膜前体组合物、薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板是由郑在善;延昌峰;李承铉;南知贤;赵成禹设计研发完成，并于2022-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本辅助前体、薄膜前体组合物、薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板在说明书摘要公布了：本发明涉及一种辅助前体、薄膜前体组合物、利用其的薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板，提供包含对薄膜前体化合物表现出反应稳定性的预定结构的化合物作为辅助前体的薄膜前体组合物，在薄膜沉积工艺中利用所述薄膜前体组合物以抑制副反应，而且适当地控制薄膜生长率，并去除薄膜中的工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上沉积薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性、薄膜的厚度均匀性以及电阻率特性，减少腐蚀和劣化，改善薄膜的结晶度，从而改善薄膜的电学特性。

本发明授权辅助前体、薄膜前体组合物、薄膜形成方法以及通过该方法制造的半导体基板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜前体组合物，其特征在于， 包含由化学式1表示的作为直链型、支化型或环状烷烃化合物的辅助前体以及由化学式2表示的薄膜前体化合物， 化学式1： AnBmXo 在所述化学式1中，所述A为碳，所述B为氢、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～10的环烷基或碳原子数为1～10的烷氧基，所述X为碘I，所述n为1～15的整数，所述o为1，m为0～2n+1， 化学式2： MxLy 在所述化学式2中，所述x为1～3的整数，所述M选自Li、Be、C、P、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Te、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Th、Pa、U、Cs、Ba、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Tl、Pb、Bi、Pt、At以及Tn中，y为0～6的整数，所述L分别独立地为H、C、N、O、F、P、S、Cl、Br或I，或由选自H、C、N、O、F、P、S、Cl以及Br中的两种以上组合而成的配体， 所述辅助前体为，与所述辅助前体的1H-NMR谱相比，将所述辅助前体与薄膜前体化合物以1∶1的摩尔比混合并在加压容器中放置1小时之后测得的1H-NMR谱中新生成的峰的顶部的积分值小于0.1％的化合物。

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