北京航空航天大学杨树斌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利二维非晶氮化碳材料及其制备方法、薄膜和电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116969425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310777120.1，技术领域涉及：C01B21/082；该发明授权二维非晶氮化碳材料及其制备方法、薄膜和电子器件是由杨树斌;王海洋设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维非晶氮化碳材料及其制备方法、薄膜和电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维非晶氮化碳材料及其制备方法、薄膜和电子器件，其中所述氮化碳材料具有二维形貌和非晶体结构。该氮化碳材料的制备方法包括：采用刻蚀剂将MAX相材料中的A组分刻蚀，得到MXene材料；将所述MXene材料与金属溴化物和或溴气混合后在预定温度下烧结，得到氮化碳材料。本发明提供了一种结构不同的新型氮化碳材料，该氮化碳材料表现出超低的介电常数，在电子器件和电子装置，特别是柔性电子器件或通讯装置上具有应用价值。
本发明授权二维非晶氮化碳材料及其制备方法、薄膜和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化碳材料的制备方法，其特征在于，所述氮化碳材料具有二维形貌和非晶体结构；所述制备方法步骤包括： 采用第一刻蚀剂将MAX相材料中的A组分刻蚀，得到MXene材料； 将所述MXene材料与第二刻蚀剂金属溴化物和或溴气混合后在预定温度下烧结，得到氮化碳材料； 所述MAX相材料由M、A和X元素组成，所述M为过渡金属元素中的一种或多种，A选自第三或四主族的金属元素，X为碳和氮元素。
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