长沙盈芯半导体科技有限公司方向东获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙盈芯半导体科技有限公司申请的专利一种标签天线的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116960617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311147287.6，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种标签天线的设计方法是由方向东;苏立新;谢重勇设计研发完成，并于2023-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种标签天线的设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种标签天线的设计方法，包括依次设置上层辐射层、中间介质层和下层接地层;在上层辐射层上开设至少一个环形槽；环形槽上开设开口，以放置芯片，与环形槽相接，形成第一电感环；在上层辐射层与下层接地层之间，每个环形槽下方设置双接地柱，与芯片形成与第一电感环对应的第二电感环；环形槽的尺寸，根据待设计标签天线的容抗大小而确定；双接地柱的间隔距离，根据待设计标签天线的感抗大小而确定；环形槽的尺寸和双接地柱的距离配合，达到每个环形槽上芯片所需的最佳共轭匹配。该设计方法设计的标签天线，一是将地参与辐射；二是双电感回路对能量进行收集。双重增强，能够大大提高该标签天线的灵敏度。
本发明授权一种标签天线的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种标签天线的设计方法，其特征在于，包括： 依次设置上层辐射层、中间介质层和下层接地层; 在上层辐射层上开设至少一个环形槽；环形槽上开设开口，以放置芯片，与环形槽相接，形成第一电感环； 在上层辐射层与下层接地层之间，每个环形槽下方设置双接地柱，与芯片形成与第一电感环对应的第二电感环； 环形槽的尺寸，根据待设计标签天线的容抗大小而确定；双接地柱的间隔距离，根据待设计标签天线的感抗大小而确定；环形槽的尺寸和双接地柱的距离配合，达到每个环形槽上芯片所需的最佳共轭匹配。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长沙盈芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区岳麓西大道588号芯城科技园2栋1901-07室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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