浙江奥首材料科技有限公司侯军获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江奥首材料科技有限公司申请的专利一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116948647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310780439.X，技术领域涉及：C09K13/08；该发明授权一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途是由侯军;孙昊然;武文东;田继升;赵晓莹设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途在说明书摘要公布了：本发明提供一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途，所述氮化物半导体蚀刻液包括重量配比如下的各组分：过氧化氢1‑20份；钠盐1‑10份；无机酸5‑40份；有机酸5‑10份；超纯水10‑30份。所述钠盐为二乙烯三胺五甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸五钠和二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的一种或多种。本发明还公开了氮化物半导体蚀刻液的制备方法及其在氮化物金属膜蚀刻领域的用途。本发明氮化物半导体蚀刻液能与氮化物金属膜发生蚀刻反应，同时能抑制过氧化氢分解，防止蚀刻后的金属离子吸附到基材表面，污染基材。
本发明授权一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体蚀刻液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分： 过氧化氢1-20份； 钠盐1-10份； 无机酸5-40份； 有机酸5-10份； 超纯水10-30份； 所述钠盐为二乙烯三胺五甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸五钠和二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的一种或多种； 所述有机酸为甲酸、乙酸、乙二酸、乳酸和柠檬酸中的一种或多种。
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