中国人民解放军国防科技大学张金花获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种Bi2Te2.7Se0.3-AgBiSe2复合热电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116940201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311132168.3，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种Bi2Te2.7Se0.3-AgBiSe2复合热电材料及其制备方法是由张金花;常亚婧;陈宗胜;李志刚;王俊儒;吕相银;刘丽萍;王亚辉设计研发完成，并于2023-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Bi2Te2.7Se0.3-AgBiSe2复合热电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Bi22Te2.72.7Se0.30.3‑AgBiSe22复合热电材料及其制备方法，属于热电材料制备技术领域。本发明提供的方法为先将硒粉、硝酸银、氯化铋反应合成AgBiSe22纳米颗粒，再将AgBiSe22纳米颗粒与Bi22Te2.72.7Se0.30.3研磨后真空热压烧结，得到Bi22Te2.72.7Se0.30.3‑AgBiSe22复合热电材料。本发明将化学法制备的纳米结构的AgBiSe22作为第二相引入Bi22Te2.72.7Se0.30.3基体，可以显著提高复合材料的ZT值。
本发明授权一种Bi2Te2.7Se0.3-AgBiSe2复合热电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Bi2Te2.7Se0.3-AgBiSe2复合热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将硒粉加入乙二胺中，于油浴中150℃加热回流反应，磁力搅拌，待沸腾后利用余热蒸发完乙二胺，并趁热溶于乙二醇中，形成硒阴离子前驱体； 2在步骤1所得硒阴离子前驱体中加入乙二醇、硝酸银、氯化铋和丙三醇，搅拌溶解，180℃反应6h，冷却至室温后收集沉淀并进行洗涤、干燥，得到AgBiSe2纳米颗粒； 将Bi2Te2.7Se0.3基体研磨后，加入步骤2所得AgBiSe2纳米颗粒进行研磨，然后进行真空热压烧结，得到致密的块体； 步骤3所述AgBiSe2纳米颗粒的掺量为所得块体的0.1-0.5wt%。
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