电子科技大学王战亮获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种径向电子注交错栅结构行波放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116936319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310591892.6,技术领域涉及:H01J23/27;该发明授权一种径向电子注交错栅结构行波放大器是由王战亮;雷岳明;宫玉彬;段兆云;王少萌;梁冰洋;闫磊设计研发完成,并于2023-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种径向电子注交错栅结构行波放大器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种径向电子注交错栅结构行波放大器,在上下金属圆环外壳下侧与上侧栅有金属构成的同轴不同半径的栅叶片,下侧与上侧栅叶片交错,之间形成空腔,构成一个慢波结构。在靠近热阴极的位置,从上金属圆环外壳下侧或下金属圆环外壳上侧两相邻栅叶片之间的空腔,通过输入结构注入电磁波,作为拟放大的信号,该电磁波在同轴交错栅中沿空腔交错传输,与沿径向传输的电子注互作用,将电子动能转换为电磁波能,将输入电磁波信号放大,在最远离热阴极的下金属圆环外壳上侧或上金属圆环外壳下侧的两片相邻栅叶片之间的空腔,将放大的电磁波从下金属圆环外壳或上金属圆环外壳通过输出结构输出。本发明具有互作用效率高、输出功率高、耦合阻抗高以及结构简单等特点。
本发明授权一种径向电子注交错栅结构行波放大器在权利要求书中公布了:1.一种径向电子注交错栅结构行波放大器,其特征在于,包括: 上下金属圆环外壳,上金属圆环外壳下侧、下金属圆环外壳的上侧均有金属构成的同轴不同半径的栅叶片,下侧与上侧栅叶片之间形成空腔,上金属圆环外壳的下侧栅叶片与下金属圆环外壳上侧栅叶片交错,形成慢波结构,该慢波结构为同轴交错栅; 阴极,置于上下金属圆环外壳最外侧栅叶片的边缘或上下金属圆环外壳的圆中心,采用热阴极发射电子,形成电子注,在下侧与上侧栅叶片之间形成空腔中,沿半径方向向圆中心发射或向外边缘发射; 在靠近热阴极的位置,从上金属圆环外壳下侧或下金属圆环外壳上侧两相邻栅叶片之间的空腔,通过输入结构注入电磁波,作为拟放大的信号,该电磁波在同轴交错栅中沿空腔交错传输,与沿径向传输的电子注互作用,将电子动能转换为电磁波能,将输入电磁波信号放大,在最远离热阴极的下金属圆环外壳上侧或上金属圆环外壳下侧的两片相邻栅叶片之间的空腔,将放大的电磁波从下金属圆环外壳或上金属圆环外壳通过输出结构输出,沿径向的电子注尚有部分能量,将继续传输打到收集极内。
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