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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116825830B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310729525.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法是由宓珉瀚;温馨怡;周雨威;龚灿;王鹏飞;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法，包括：衬底，依次设置于衬底上的缓冲层、势垒层和沟道层；源极和漏极，位于沟道层上，源极和漏极间隔设置；氮化硅层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间，氮化硅层包括栅脚区域，栅脚区域暴露出沟道层；沟道阵列结构，沟道阵列结构的投影位于栅脚区域，沟道阵列结构包括多个间隔排布的刻蚀部分，刻蚀部分由刻蚀掉至少部分沟道层形成，或由刻蚀掉沟道层和至少部分势垒层形成；沿垂直于衬底的方向，刻蚀部分的投影为矩形或梯形；栅极，覆盖于沟道阵列结构上、以及部分氮化硅层上。本发明能够提供高频、高线性N面GaN基FinFin‑likeHEMT器件。

本发明授权多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件，其特征在于，包括： 衬底，依次设置于所述衬底上的缓冲层、势垒层和沟道层，所述势垒层位于所述缓冲层与所述沟道层之间，形成N面GaN基异质结； 源极和漏极，位于所述沟道层上，所述源极和所述漏极间隔设置；其中，所述源极和所述漏极的金属叠层在500~800℃、30~50s的氮气氛围退火形成欧姆接触； 氮化硅层，位于所述沟道层上，且位于所述源极和所述漏极之间，所述氮化硅层包括栅脚区域，所述栅脚区域暴露出所述沟道层的N面； 沟道阵列结构，位于所述沟道层，或位于所述沟道层和所述势垒层，沿垂直于所述衬底的方向，所述沟道阵列结构的投影位于所述栅脚区域，所述沟道阵列结构包括多个间隔排布的刻蚀部分，所述刻蚀部分由刻蚀掉至少部分所述沟道层形成，或由刻蚀掉所述沟道层和至少部分所述势垒层形成；沿垂直于所述衬底的方向，所述刻蚀部分的投影为矩形或梯形；沿垂直于所述衬底的方向，所述刻蚀部分的投影为矩形；所述刻蚀部分靠近所述源极的尺寸与所述刻蚀部分靠近所述漏极的尺寸相同；沿垂直于所述衬底的方向，所述刻蚀部分的投影为梯形；所述刻蚀部分靠近所述源极的尺寸大于所述刻蚀部分靠近所述漏极的尺寸，或，沿垂直于所述衬底的方向，所述刻蚀部分的投影为梯形；所述刻蚀部分靠近所述源极的尺寸小于所述刻蚀部分靠近所述漏极的尺寸； 栅极，覆盖于所述沟道阵列结构上、以及部分所述氮化硅层上； 氮离子注入区，分别位于所述源极背离所述漏极的一侧、以及所述漏极背离所述源极的一侧，所述氮离子注入区用于实现器件隔离。

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